关于leed.pdf

低能电子衍射术 低能电子衍射术（Low-Energy Electron Diffraction, 简称 LEED ）是研究表面原 子结构的一种重要方法。LEED 的起源是与原子物理和量子理论的发展联系在一起 的。1927 年，Davisson 和 Germer 的著名实验证明了电子有波动性并且能被晶体衍 射，这为 LEED 的诞生奠定了基础。20 世纪六十年代初，Germer 等人发展了后加 速平面显示型 LEED 装置。1962 年，Lander 把平面显示器改为球面显示器，这就 是现代 LEED 系统的雏形。后来，Sarel 和 Weber 等人又成功地用球型栅 LEED 系 统进行俄歇分析（AES ），使这个仪器既能研究表面原子结构，又可研究表面元素 组分。到七十年代初，商品化的 LEED-AES 分析仪器已在市场上出现。六十年代 末，已有许多用 LEED 进行的实验研究工作，但大多数只是研究衍射图形的对称 性等，而对衍射强度的研究很少，这是因为用 LEED 确定表面原子结构的理论在 七十年代初才发展成熟。1970 年，Jona 在 Al 表面上收集了第一批用来确定表面原 子结构的 LEED 衍射强度数据[]，此后不久便给出了相应的计算结果。这标志着 LEED 的真正诞生。后来，随着表面科学的兴起，LEED 越来越被人们所重视， LEED 的应用范围也越来越广。至今用 LEED 技术确定的表面结构已有几百种，同 时 LEED 的理论也得到了完善和很大程度的发展。LEED 已成为表面研究的一种常 规手段。 LEED 的原理很简单，即用低能电子束（一般能量为 20-500eV ）入射晶体表 面，从晶体表面背散射回来的电子经加速后打到荧光屏上，形成 LEED 衍射图象 （LEED pattern ），分析这些衍射图象的对称性和强度便可以得到关于表面结构的 信息。使用低能电子是因为低能电子在固体中的平均非弹性自由程很短，约为 5 埃，这样，它们在样品中的穿透深度为 2 nm 左右，保证了 LEED 信号的表面灵敏 性。 LEED 的实验装置主要由电子枪、固定样品的测角头和探测器三大部分组成 （如图3.11.21.1 所示）。所有这些都密封在一个超高真空室里（基本气压为 10-10 ~10-11Torr ），以确保低能电子不受气体分子的散射和被分析样品在原子尺度的清 洁。大部分系统用的电子枪并不复杂，电子由间接加热的电阴极或由灯丝产生，能 量变化范围在 0-1000eV 之间，电子束的有效直径大约 1 毫米，电子束流一般 1-2 微安。样品架通常比较复杂，理想的设计应该允许在几个方向上精确地平动和转动 （一般有X 、Y 、Z 方向的平动，沿样品表面法线方向的转动和沿一个在样品面内 的轴的转动）。此外，它还必须能加热或冷却样品。探测器有多种形式，最常见的 如图由四个球形高透过的栅极和荧光屏组成。电子打到表面上经弹性和非弹性散射 后，沿反方向在样品和第一栅极 G1 间自由飞行，在 G1 和 G2、G3 间有一个小的 负电位差，使非弹性散射电子不能通过。当弹性散射电子栅极 G4 时，被 G4 和荧 光屏间的一个很大的正电压加速后打到荧光屏上，荧光屏在被电子轰击的地方产生 光斑。光斑的强度可用适当的亮度探测器在真空系统窗口外测量。亮度探测器一般 由计算机控制的 CCD 摄像机构成，控制软件的主要功能是改变入射电子能量并跟 踪被测衍射斑点，测量其强度。对某一衍射斑点，测得的强度随入射电子能量变化 曲线叫做该衍射斑点的强度曲线，简称I-V 曲线。 荧光屏：+7000V 栅极 4 ：接地 窗口 栅极 3 ：V+δV 超高真空 栅极 2 ：V+δV 栅极 1：接地 摄像机