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阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件段宝兴李春来-物理学报.PDF
阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件
段宝兴 李春来 马剑冲 袁嵩 杨银堂
Newfoldinglateraldouble-diffusedmetal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistorwiththestepoxide
layer
DuanBao-Xing LiChun-Lai MaJian-Chong YuanSong YangYin-Tang
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,067304(2015) DOI: 10.7498/aps.64.067304
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.067304
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I6
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 6 (2015) 067304
阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件
段宝兴 李春来 马剑冲 袁嵩 杨银堂
(西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071)
( 2014 年8 月20 日收到; 2014 年10 月20 日收到修改稿)
为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件, 提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金
属- 氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS, SOFLDMOS) 新结构. 这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周
期分布的折叠硅表面, 利用阶梯氧化层的电场调制效应, 通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电
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穿电压受限的问题. 通过三维仿真软件ISE 分析获得, SOFLDMOS 结构打破了硅的极限关系, 充分利用了
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