阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件段宝兴李春来-物理学报.PDFVIP

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阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件段宝兴李春来-物理学报.PDF

阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件 段宝兴 李春来 马剑冲 袁嵩 杨银堂 Newfoldinglateraldouble-diffusedmetal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistorwiththestepoxide layer DuanBao-Xing LiChun-Lai MaJian-Chong YuanSong YangYin-Tang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,067304(2015) DOI: 10.7498/aps.64.067304 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.067304 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I6 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 新型缓冲层分区电场调制横向双扩散超结功率器件 Newsuperjunctionlateraldouble-diffusedMOSFETwithelectricfieldmodulationbydifferentlydopingthe bufferedlayer 物理学报.2014,63(24): 247301 /10.7498/aps.63.247301 具有N型缓冲层REBULFSuperJunctionLDMOS NewREBULFsuperjunctionLDMOSwiththeNtypebufferedlayer 物理学报.2014,63(22): 227302 /10.7498/aps.63.227302 SnO /p -Si异质结器件的电致发光:利用TiO 盖层提高发光强度 Electroluminescence from SnO /p -Si heterostructured light-emitting device:enhancing its intensity via cappingaTiO film 物理学报.2014,63(17): 177302 /10.7498/aps.63.177302 GaNHEMT欧姆接触模式对电学特性的影响 EffectofdifferentohmiccontactpatternonGaNHEMT electrical properties 物理学报.2014,63(11): 117302 /10.7498/aps.63.117302 阶梯AlGaN 外延新型AlGa N/GaNHEMTs击穿特性分析 BreakdownvoltageanalysisforthenewAl Ga N/GaNHEMTswiththestepAlGaNlayers 物理学报.2014,63(5): 057302 /10.7498/aps.63.057302 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 6 (2015) 067304 阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件 段宝兴 李春来 马剑冲 袁嵩 杨银堂 (西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071) ( 2014 年8 月20 日收到; 2014 年10 月20 日收到修改稿) 为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件, 提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金 属- 氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS, SOFLDMOS) 新结构. 这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周 期分布的折叠硅表面, 利用阶梯氧化层的电场调制效应, 通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电 场分布均匀, 提高了器件的耐压范围, 解决了文献提出的折叠积累型横向双扩散金属-氧化物-半导体器件击 穿电压受限的问题. 通过三维仿真软件ISE 分析获得, SOFLDMOS 结构打破了硅的极限关系, 充分利用了 电场调制效应、多数载流子积累和硅表面导电区倍增效应, 漏极饱和电流比一般LDMOS 提高3.4 倍左右, 可

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