陶瓷的结构与介电性能-IngentaConnect.PDFVIP

第41 卷第7 期 苏 冬等：液态聚硅氧烷交联–成型–热解制备复杂形状硅氧碳陶瓷 · 877 · 第41 卷第7 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 41 ，No. 7 2 0 1 3 年 7 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J u l y ，2 0 1 3 DOI ：10.7521/j.issn.0454–5648.2013.07.01 Re Sr Ti O (Re = La, Sm, Er)陶瓷的结构与介电性能 0.02 0.98 0.995 3 胡其国，沈宗洋，李月明，王竹梅，骆雯琴，洪 燕，谢志翔 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院，江西省先进陶瓷材料重点实验室，江西，景德镇 333403) 摘 要：采用固相法，通过预先引入Ti 离子空位进行电荷补偿，成功制备了不同种类3 价稀土离子掺杂钛酸锶陶瓷Re Sr Ti O (Re-ST, Re = La, 0.02 0.98 0.995 3 Sm, Er)。X 射线衍射仪分析表明Re-ST 陶瓷具有和纯钛酸锶(SrTiO3 ，ST)类似的单一立方钙钛矿结构，从实验上证实了预设B 位离子空位进行电荷补 偿的可行性。扫描电子显微镜分析发现稀土离子掺杂有效地抑制了晶粒的生长。采用HP4294 、HP4284 精密阻抗分析仪、JJC9906-A 介电强度测试仪 以及FMRL 偏压测试系统对Re-ST 陶瓷的介电性能进行了测试，研究了不同种类稀土离子掺杂对Re-ST 陶瓷介电性能的影响。结果表明：Re-ST 陶 瓷的室温相对介电常数(ε = 2 520～3 800，1kHz) 比ST 陶瓷的(ε = 300，1kHz)增加了近10 倍以上，而介电损耗仍保持在0.05 (1 kHz) 以下；在–50～180 ℃， r r Re-ST 陶瓷的介电常数具有较好的稳定性；Re-ST 陶瓷的介电强度Eb 均在 13 kV/mm 以上；在0～1.6 kV/mm 的偏压测试条件下，Re-ST 陶瓷的相对 介电常数变化在±10% 以内。基于Re-ST 陶瓷具有高的ε、相对较高的E 以及较好的温度特性与偏压特性，其在中高压固态高密度储能介质材料应用 r b 领域有着较大的发展前景。 关键词：钛酸锶陶瓷；稀土掺杂；介电性能；电荷补偿；储能 中图分类号：TB34 ；TM281 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2013)07–0877–06 网络出版时间：2013–06–28 10:51:23 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ.20