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第8章 半导体二极管和三极管 第8章 半导体二极管和三极管 § 8.1 半导体的基本知识 § 8.2 PN 结与二极管 § 8.3半导体三极管 § 8.4场效应管 教学要求： 半导体的三个特性 在加热或光照加强时，半导体的阻值显著下降，导电能力增强类似于导体。 半导体具有热敏特性和光敏特性是由半导体的内部结构（图1-1）所决定的。 半导体的三个特性 往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 8.1.1　本征半导体 纯净的半导体晶体称为本征半导体 2.本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子、空穴 　　　 载流子：运载电荷的微粒． 　　　在绝对温度T=0K（开尔文）和没有外界激发的前提下，本征半导体内的价电子全部被束缚在共价键中，不能自由运动，被称为束缚电子，不能参与导电。 8.1.2 杂质半导体 　半导体的导电能力取决于载流子的数目，本征半导体受热激发只产生少量电子空穴对，载流子浓度很低，外加电场作用，电流极其微弱； 　若在本征半导体中掺入微量杂质，则导电性能大为改观，掺入百万分之一的杂质，载流子浓度增加1百万倍。 　N型半导体：在纯净半导体中掺入微量的五价元素（如磷）后形成． 　P型半导体：在纯净半导体中掺入微量的三价元素（如硼）后形成。 P 型半导体与N型半导体区别 §8.2 PN结与二极管 1. PN结的形成 动画:PN结的形成 Step1:取ppt的第14张的图 Step2:外加电场后，取ppt的第8张的图，注意载流子的方向． 二极管导通电路 提示： 2.死区电压 硅管0.5V，锗管0.1V 主要参数 1.最大整流电流IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流，超过IOM二极管的PN结将过热而烧断。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3.最大反向饱和电流IRM 这个电流愈小二极管的单向导电性愈好。温升时， IRM增大。 4． 二极管的直流电阻 5．最高工作频率 限幅电路 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。 检波电路 　检波电路是把信号从已调波中检出来的电路。 因为要求输出电压 ，也就是说选用稳压二极管的稳压值为 。假设从器件手册中查到该管的稳定电流 ，则 因此，可以取标称值为 的电阻。图示电路可以获得稳压值为 的输出。 发光二极管、光电二极管、光电耦合器 1.发光二极管：有正向电流流过时，发出一定波长范围的光。 2.光电二极管：光照增强时，外加反偏压作用下，反向电流增加。 3.光电耦合器：如果把发光二极管和光电二极管组合构成二极管型光电耦合器件。 动画 1.电子从发射区发射 2.一部分形成基极电流 3.一部分形成集电极电流 4.按图1-18表示出电流的分配 8.3.3　特性曲线（共射连接） 1.输入特性曲线 （2）穿透电流ICEO （3）集电极最大允许电流ICM （4）集电极最大允许耗散功率PCM　　　 (5)反向击穿电压U(BR)CEO 1.3.5 三极管的微变等效电路 1.分析的前提：小信号 在小信号的作用下，工作在恒流区的三极管可以用一个如图（a）线性有源两端口网络来等效 ． §8.2.4 特殊二极管 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 1. 符号 _ + U IZ IZmax ?UZ ?IZ UZ I 曲线越陡，电压越稳定。 稳压二极管 稳压二极管的参数 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin （2）电压温度系数?U（%/℃） （3）动态电阻 （1）稳定电压 UZ: 分散性 （5）最大允许功耗 [例1-4] 设计一个稳压二极管的稳压电路。已知输入电压 ，要求负载电流 ，输出电压 。 解 图1-16是一个简单的利用稳压二极管实现的稳压电路。 §8.3 半导体三极管 　三极管在模拟电子电路中其主要作用是构成放大电路 ★三极管的结构 结构： 三个区、 二个结、