Optical heating in semiconductors_ Laser damage in Ge, Si, InSb, and GaAs中文翻译.pdf

半导体的光加热：锗，硅，锑化铟和砷化镓的激光损伤 J. R. Meyer, M. R. Kruer, and F. J. Bartoli 海军研究实验室，华盛顿，D.C.20375 （1980 年2 月26 日收稿;1980年5 月22 日接受出版） 此前在半导体光加热制定了一个全面理论应用到锗，硅，锑化铟和砷化镓 的激光损伤阈值的计算。所计算的阈值和大范围的激光波长和短脉冲的实验值 相吻合。结果表明，该材料的光学性质和输运性质的不断变化的温度和激光产 生的载流子密度动态性质对加热处理的显著效果，特别是在短脉冲持续时间。 I 引言 可以理解为半导体的光加热现象在一些当前的应用是至关重要的，比如激光 退火处理的激光损伤。一个完整的激光加热现象理论化处理必须详细的阐述了光、 载流子传输，以及该材料的热传输特性，并且这些性质是如何随载流子密度和温 度变化而变化的。在数学上，这个问题是解决热和过量的载流子扩散方程的问题 1-6 之一。在最近的一些文章中 ，一个或两个扩散方程已经通过计算机的到数值 求解。然而，因为数值方法是非常繁琐且昂贵，获得的结果超过大范围光谱中的 激光的波长，脉冲持续时间，这种方法对于半导体材料是不可行的。在之前的论 7 文 （以下称为I ）中提出一般情况下，激光诱导半导体加热的闭合形式表达。通 过引入几个对于大部分有趣的实验条件下有效的近似值，发现了材料的表面附近 的区域的扩散方程准确，简单的解决方案。以前的热计算和载流子运输计算没有 吧各种样的物理机制考虑进去。此外，该理论为激光加热的各种物理过程的相对 重要性提供了大量的理论见解。在以下的章节中，I 导出的公式全面应用于由于 加载了广泛的激光波长和脉冲持续时间的激光而表面融化的锗、硅、锑化铟和砷 化镓的激光损伤计算。比较是有广泛色实验结果组成的。 为方便起见，现在来总结 I 的结果。假设均匀辐照一个半无限大的样品， 这样这问题可以被当做一维处理。加热半导体表面的激光功率密度为 P 由 0 T 初始温度 到最终温度 给出 T 0 f （1） c T R 这里 为材料的密度， 为材料的比热容， 是 ， 是反射 ，和  T T t f 0 p L 是激光脉冲持续时间。量 ，它可以大致理解为材料加热的深度，由下式给出 H （2 ）    (   )   这里 是光的总吸收系数， 和 是单光子和双光子能带吸收系 1 2 FC 1 2 1/2  数， 是自由载流子吸收，L D 是自由载流子的扩散深度，D 是双极 FC [(  )