不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法.pdfVIP

第26卷第7期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．26，No．7 2014年7月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul．，2014 不同工艺尺寸CMOS器件单粒子 闩锁效应及其防护方法。 陈 睿1‘2， 余永涛1’2， 董 刚1,2， 上官士鹏1， 封国强1， 韩建伟1， 马英起1， 朱 翔1 (1．中国科学院国家空间科学中心，北京100190； 2．中国科学院大学，北京100049) 摘要： 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型，利用TCAD器件模拟的方法，针对不同工艺 CMOS器件，开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明，器件工艺尺寸越大， SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制，提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法，并 CMOS 通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果，得出最优的加固防护设计。结果表明，90nm和0．13“m 器件尽量选用保护带抗SEL结构，0．18 pm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。 关键词： 不同工艺尺寸； 单粒子闩锁效应； SEL三维仿真模型；防护结构； 重离子辐照 中图分类号：TN4 文献标志码： A doi：10．11884／HPLPB201426．074005 在CMOS集成电路中，由于衬底和阱中天然存在的两个寄生双极型晶体管构成的PNPN可控硅结构被 触发导通，在电源与地之问形成低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁的现象称为单粒子闩锁 EventLatch 效应(SEL，Single 效应问题一直成为影响宇航CMOS器件工作可靠性的主要辐射问题之一。近年来越来越多的CMOS电路 (特别是大规模和超大规模CMOS电路)应用于现代卫星，单粒子闩锁效应带来的安全隐患也随之显著增 加旧。。，因此，开展CMOS器件单粒子闩锁效应及防护设计的研究就尤其重要。 本文针对不同工艺尺寸的CMOS器件，建立了相应的SEL效应器件仿真等效模型，基于半导体器件仿真 级SEL防护方法，最后通过TCAD数值仿真和重离子试验，验证两种SEL防护方法的有效性。 1器件模型设计 为准确评估三种工艺尺寸CMOS器件的抗SEL能力，针对90 艺，利用苏州Cogenda公司的Genius 性的研究。 NMOS管有源区，针对90nm／0．13 ffm／0．18 0．58 入低电平(V。。)。图1为校准的CMOS器件SEL效应仿真的版图及三维等效模型。 2 CMOS器件SEL响应特性研究 情况能有效地评估CMOS器件抗SEL能力，因此仿真辐照条件设置如下：①温度：高温125℃；②工作电压： 标准Vaa+o．1 v(o．18 v(o．13 V，如1．9 V(90 Urn)，1．3 vm)和1．1 nm)；③版图设计成对SEL最敏感(在设 10 0320 *收稿日期：201330； 修订日期：2014 创新工程青年基金项目(0821llAl7S) 作者简介：陈睿(1983)，男，博士研究生，助理研究员，主要从事空间环境辐射效应方面的研究工作；chenrui2010@nssc．ac．cn。 0740051 强 激 光 与 粒 子 束 PwcI】 Nwc】】 匿IactⅣe