集成电子技术基础教程（第2版）（上、下册）王小海3篇-7章1.pptVIP

实际上，在每进行一次读出操作之前，必须对DRAM按排一次刷新，即先加一个预充电脉冲，然后进行读出操作。同时在不进行任何操作时，CPU也应该每隔一定时间对动态RAM进行一次补充充电（一般是2mS时间），以弥补电荷损失。 三、静态RAM的容量扩展（SRAM） 通常微处理器的数据总线为8位、16位或32位，而地址总线为16位或24位不等。 当静态RAM的地址线和数据线不能与微机相匹配时，可用地址线扩展、数据线扩展或地址和数据线同时进行扩展的方法加以解决。 ★ SRAM容量的扩展 ---位数扩展 数据线扩展： 如SRAM 2114：10位地址，4位数据线 其容量=210×4=1024×4=4096字位（4K） 例：用4K容量的RAM2114，实现容量为1024×8(≈8K字位)字位容量的RAM 解：1024×8字位容量，其地址仍是十位，故只要进行数据位扩展即可，选用RAM2114两片，将两片的地址线，读/写线及片选线连在一起，两片的位线分别作为高4位数据和低4位数据，组成8位的数据线即可。 扩展后的电路 RAM 2114（I） RAM 2114（II） A9~A0 /CS /WE D7 D3 D6 D5 D4 D2 D1 D0 高四位 低四位 ★★ SRAM容量的扩展 ---字位扩展 地址扩展，数据位扩展 地址扩展:从10位地址扩展成功11位 A10=0时,地址范围为A10A9…A0=(00000000000～01111111111)B 或(000 ～3FF)H A10=1时,地址范围为A10A9…A0=(10000000000～11111111111)B 或(0400～7FF)H 例: 用RAM2114，扩展成容量为4096×8字位（32K）的RAM。 解：4096需要12位地址，而RAM2114只有10位地址，所以需要进行地址扩展，同时应该将一字4位，扩展成一字8位。字的位数扩展用前面方法，地址扩展用译码器完成，用8片RAM2114。 扩展后的电路如图所示： 3.7.2只读存储器（ROM) 半导体存储器ROM中的信息不能轻易地更改。 一经写入，只供读出。 掉电后，信息随之消失，但一旦恢复供电，信息也能完全复原 。 (Read Only Memory) 电路操作特点 字输出 一、只读存储器的一般结构 存储体 地址译码器 字选线 容量=22×4字位=16字位ROM结构图 地址译码器是一个二进制全译码电路，即是一个不可编程的“与”阵列。 存储体是一个“或”结构的阵列。 4×4ROM具体电路 D0位线上的“或”门逻辑结构 读出的信息内容如表所示 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 字输出 字选线 地址 从中可知：ROM没有记忆电路，且由固定的“与”阵列和固定的“或”阵列组成，所以是一种组合逻辑电路。如果“与”和“或”阵是可编程时，就是前面介绍的组合型可编程逻辑器件（PLD）了。为此，ROM也可用简化图表示了。—表明PLD器件是由ROM逐步发展过来的。 4×4ROM简化逻辑图 4×4ROM具体电路 二、只读存储器ROM的种类 根据不同的半导体制造工艺，或阵列的编程方式有多种。存储器ROM种类通常按其编程工艺划分。 掩膜型只读存储器 用掩膜工艺，生产厂家在存储体中的字位线交叉处，根据用户要求的存储内容，制作半导体器件。一旦制成，其内容就固定，无法更改，只供读出。如家电中的洗衣机程序，电风扇程序都是固定的。 一次编程(改写)的只读存储器PROM 可以编程一次，编程后内容就固定了，再无法更改。在这种PROM中的存储体内，字位线的每个交叉点上都做上一个半导体器件。 熔丝式 出厂时内容全“1” D1 D2 短路式 出厂时内容全“0” 这种ROM在每个字位线的交叉点都做上一个特殊的MOS器件。一种是FAMOS—Floating gate Avalanche Injunction MOS；另一种是SIMOS—Stacked gate Injunction MOS。 EPROM（紫外线擦除式可编程只读存储器UVEPROM—Ultraviolat Erasable Programmable ROM） 可多次编程(改写)的只读存储器EPROM SIMOS结构 SIMOS符号 它与普通MOS管不同的是有两个栅极，第一栅极与其它电极完全绝缘。要求能控制管子导电或截止的思路是： ▲设法让栅极g1获取电子，并能控制电子释放。当g1带上电子后，管子的开启电压将升高；电子释放后，开启电压恢复正常。 栅极g1获取电子的方法是：在漏源极间加上一定的编程电压VPP（该电压由制造时工艺决定），同时在控制栅极g2