基于矩阵变换器IGBT的集中式过流保护电路设计.pdfVIP

第 卷 第 期 12 5 Vol.12 No.5 年 月 Electronic Component Device Applications 2010 5 May. 2010 doi:10.3969/j.issn.1563-4795.2010.05.010 基于矩阵变换器IGBT的集中式 过流保护电路设计 孟晖， 粟梅 ( 中南大学信息科学与工程学院， 湖南 长沙 410083) 摘 要： 分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT 的过流现象进行了讨论， 提出了一种新 的集中式过流保护电路的设计方式。 该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断， 从而安全 稳定地运行。 试验结果表明： 新的集中式过流保护电路具有经济、 准确、 快速的特点。 关键词： 矩阵变换器； IGBT ； 集中式； 过流保护电路 数 倍 的过载电流； 另一类是高倍数 0 引言 (1.2～1.5 ) 高达 倍 的短路电流。 ( 8～10 ) 近年来， 矩阵变换器的优越性能日益受到研 1.1 过载电流保护 究者们的重视， 因而已成为电力变换器中的研究 热点。 IGBT作为矩阵变换器的重要开关器件， 是 原则上， IGBT在过流时的开关和通态特性与 电力电子系统中最具应用前景的功率半导体器件 其在额定条件下运行时的特性相比并没有什么不 之一， 其安全稳定的工作决定着矩阵变换器的稳 同。 但由于比较大的负载电流会引起IGBT 内较高 定运行。 的损耗， 所以， 为了避免超过最大允许节温， IGBT 的保护电路主要分为过压保护、 过流保 IGBT 的过载范围往往会受到限制。 这不仅是过载 护和过热保护电路。 本文主要讨论IGBT 的过流保 时节温的绝对值， 而且连过载时的温度变化范围 护电路。 通常情况下， 根据IGBT手册给出的相关 都是限制因素。 保护电路进行设计就足以保证IGBT 的可靠运行。 1.2 短路电流保护 但是， 在矩阵变换器中， 由于整流级和逆变级的 IGBT能承受短路电流的时间很短， 且能承受 IGBT 数量较多， 而对逐个IGBT 过流保护电路进 短路电流的时间与该IGBT 的导通饱和压降有关， 行设计较为繁琐， 故可以采用集中式过流保护电 它随着饱和导通压降的增加而延长。 存在以上关 路， 以达到精简和优化电路的效果。 系的原因是由于随着导通饱和压降的降低， IGBT 另外， 由于IGBT能够承受一定时间的短路电 的阻抗也降低， 短路电流同时增大， 短路时的功 流， 所承受短路