资料总结与-FFS .ppt

* AUFFS视角接近180(水平),180(垂直). * N1//+N2┴=N2//+N1┴,从两个不同角度看,光程差几乎相等,所透过光波长没有偏移.色偏消除. * 但发亮或发暗现象是不固定的。FFS垂直方向一般为亮，水平方向亮或暗。 如果BM/Array misalign, Data/ITO间混乱排列的LC受到中心数据线高信号影响，排列更加混乱，漏光更加厉害，发亮。 TFT Ioff漏电流大，因为信号电压很高时，TFT自然容易发生泄漏。 S/D 线电阻大，RC delay从上到下，越来越大，同时Gate RC delay从左到右，逐渐变大。所以屏的中下方信号弱，发暗。 * 盒厚减小,FFS电场强度强,液晶分子倾斜,对rising time提高不大;对falling time明显降低.一般来说,盒厚降低,响应速度提高. Change life with heart Change life with heart IPS（In-Place Switching）和FFS (Fringe Field Switching)比较 电场分布: 电极分布不同,电场方向不同(平面电场 vs 边缘电场),电场有效面积不同 FFS(Cst)IPS(Cst) FFS Cst由1st ITO 2nd ITO组成.1st ITO是Box形状,面积大. 因此 FFS产品只能采 用Cst on common方式. IPS FFS TA TA Glass Glass Glass Glass E d w l x y z l’ Cst Off state On state Common electrode Pixel electrode Common electrode Off state On state IPS FFS l/d 1 ≤1 l/w 1 ≤1 Field Ey(平面电场) Ey,Ez(边缘电场） Electrodes Slit Metal/ITO Box/Slit ITO Fringe Field Switching Mode原理-1 上下偏振片相互垂直;下偏振片光透过方向平行于下板的摩擦方向(E mode),上下取向膜摩擦方向相反;液晶分子在取向膜平面上排向(预倾角2~3°,摩擦角0°); 不加电压: 液晶分子与下偏光板的透过轴平行存在,通过下偏光板的光的偏光状态不变 所以不能通过上偏光板的透过轴? 常黑模式 加电压: 当电压超过门槛值Vth,正性液晶分子沿着电场方向排列 ?扭转变形 ?透光 IPS/FFS 光透过率公式: T = Tosin2(2Φ)sin2(πdΔn/λ) To平行偏振片所透过的光,d盒厚, Δn 折射率各向异性,λ波长 扭转角度 (Φ):下偏振片透光方向和LC光轴间的角 X Y Z θ Φ LC 分子空间坐标 (θ:倾斜角度;Φ:扭转角度) off off on on Φ Φ 偏光片 检光片 下板摩擦方向 上板摩擦方向 Off/On states俯视图 Field Fringe Switching Mode原理-2 FFS边缘电场分布： 　Ey在像素电极边上位置极强,在电极中间 (pixel electrode center slit center)极弱; 　Ez同时存在，极强点在电极中间,极弱点在像素边缘; FFS扭转角和倾斜角分布: 扭转角最大值在电极边缘底表面附近,在电极中间位置扭转角只有20~30°; 倾斜角最大可达20~30°; FFS透光率随电极位置变化: 光透过率在电极边缘处最大,在电极边缘 位置光透过率极小,呈现disclination lines. Ey Ez A1 A2 A1 A2 A3 A3 A1 A2 A3 扭转角 倾斜角 +LC光轴方向在盒内随着y轴变化情况(d=3μm) Fringe Field Switching Mode原理-3 (开态) 扭转变形 Counter electrode Pixel electrode 时间 模拟LC在加电压时排列情况 Array Cell 随时间变化的光透过率 Disclination lines Electrode edge Electrode center Slit center 影响液晶光轴方向的因素: 1.取向膜摩擦的锚定力 2.液晶光轴和外加电场间的作用力 介电扭矩N=?ε*sin2α*E2 (其中α摩擦方向与水平电场间夹角，E电场强度，?ε介电常数各向异性) 3. 相邻液晶分子间的 弹性力 LC分子旋转情况 (关态) 恢复力 FF