集成电路与制造工艺之——扩散 .ppt

3. 扩散结深的测量 扩散结深常用磨角染色法和磨槽染色法测量。如图所示。 显结液如下：对PN结显示P区，用HF:HNO3:H2O=500:1:500，红外灯照射1min后，P区变暗； 对PN结显示N区，用CuSO4?5H2O:HF:H2O=5g:2ml:50ml，红外线照10s，N区染上铜。 4. 杂质浓度分布的测量 杂质浓度分布可以用C-V法测量，它的原理是利用测得的电容与耗尽层的厚度有关，从而可以算出杂质浓度，如图示出了几种测量结构。 描述菲克第一定律, 给出扩散流密度的一维表达式, 并说明杂质在半导体中的扩散系数与什么因素有关? 杂质原子的扩散方式（两大类） 简述两步扩散工艺过程及作用 考虑Si中的点缺陷, 说明B和P杂质在Si中的扩散机制. 什么是氧化增强扩散? 说明B和P的氧化增强扩散机理. 扩散工艺分类及其特点 什么是快速气相掺杂与气体浸没激光掺杂？说明他们各自的特点及二者的异同点。 第三章作业 * ①杂质分布形式 有限表面源扩散的主要特点 扩散温度相同时，扩散时间越长，杂质扩散的越深，表面浓度越低。 扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的越深，表面浓度下降越多。 温度相同时，杂质的分布情况随扩散时间的变化如图所示，有限表面源扩散在整个扩散过程中杂质数量保持不变，各条分析曲线下面所包围的面积相等。 有限源扩散的表面杂质浓度是可以控制的，任意时刻t的表面浓度： 杂质分布为： ②结深 如果衬底中原有杂质与扩散的杂质具有不同的导电类型，则在两种杂质浓度相等处形成p-n结，结深可由下式求出： 则结深为 A与比值Cs/CB有关，但因为杂质浓度Cs (t)随时间变化，所以A也随时间变化，这与恒定源扩散情况（A是常数）不同。 对于有限源扩散来说，扩散时间较短时，结深xj将随(Dt)1/2的增加而增加。 在杂质分布形式相同的情况下，CB越大，结深越浅。 ③ 杂质浓度梯度 任意位置x处的杂质浓度梯度 在p-n结处的杂质梯度为 杂质浓度梯度将随扩散结深的增加而减小。 3.3.3 两步扩散 实际的扩散温度一般为900-1200℃，在这个温度范围内，杂质在硅中的固溶度随温度变化不大，采用恒定表面源扩散很难通过改变温度来控制表面浓度，而且很难得到低表面浓度的杂质分布形式。 两步扩散：采用两种扩散结合的方式。 第一步称为预扩散或者预淀积：在较低温度下，采用恒定表面源扩散方式。在硅片表面扩散一层数量一定，按余误差函数形式分布的杂质。由于温度较低，且时间较短，杂质扩散的很浅，可认为杂质是均匀分布在一薄层内，目的是为了控制扩散杂质的数量。 第二步称为主扩散或者再分布：将由预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高温度下进行扩散。主扩散的目的是为了控制表面浓度和扩散深度。 两步扩散后的杂质最终分布形式： D预t预D主t主，主扩散起决定作用，杂质基本按高斯函数分布。 3.4、影响杂质分布的其他因素 前面求解扩散方程时，作了一些理想化的假设，且影响杂质扩散的某些因素没有考虑，实际扩散杂质的分布与理论计算的结果有一定的差异，随着集成度的提高，器件尺寸越来越小，杂质扩散深度越来越浅，需要考虑影响杂质分布的其它因素。 硅中的点缺陷 杂质浓度对扩散系数的影响 氧化增强扩散 发射区推进效应 3.4.1 硅中的点缺陷 实验发现硅中杂质原子的扩散，除了与空位有关外，还与硅中其他类型的点缺陷有着密切的关系。 硅中的点缺陷分为三类： 替位缺陷：是指位于晶格位置上的杂质原子，用A表示。 空位缺陷：是指晶格位置上缺失一个硅原子，用V表示。 间隙类缺陷：包括自间隙缺陷和间隙原子团。 自间隙缺陷：硅晶格间隙位置上的硅原子，用I表示。 间隙原子团：是由两个或两个以上的间隙原子形成。组成间隙原子团的两个原子可以都是硅原子(I缺陷)；或者是一个硅原子和一个掺杂原子(AI缺陷)。 杂质与空位的反应： 替位型杂质扩散机制：杂质原子运动到近邻的空位上 Ai：间隙位置上的一个杂质原子 AV：空位附近的一个杂质原子 AI：间隙原子团中的一个杂质原子 在扩散的过程中，晶格上的杂质原子（A）与缺陷之间的结合方式为：AV，AI，Ai，可用以下反应来描述。 一个间隙硅原子把一个处在晶格位置上的替位杂质“踢出”，使这个杂质处在晶体间隙位置上，而这个硅原子却占据了晶格位置。 硅原子“踢出” 处在晶格位置上杂质的示意图 替位杂质与间隙的反应： 被“踢出”的杂质以间隙方式进行扩散运