SMT工艺指导_中级1(王建国).docVIP

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SMT工艺指导_中级1(王建国)

SMT工艺指导教材大纲 Chapter1: 半导体电子封装 Chapter2:印制电路板 Chapter3:锡膏及其印刷 Chapter4:焊接 Chapter5:静电 Chapter6:可制造性设计 参考文献:《Printed Circuits Handbook》等 第一章 半导体电子封装 序论半导体电子元器件的封装 半导体电子元器件的封装历经了革命性的变革,本章着重介绍晶体管集成电路(IC)的高级封 装式。万变不离其宗,在封装的变革过程中,永远都不会变化的是:ICSCP(Single-chip Package)早在1980年以前,双列直插(DIP,) 形焊球,这些焊球在经过回流焊炉时会重新熔化),MCM(Multi-chip Modules)等。DIP和PGA的I/O间距为0.1in,其他封装的I/O间距一般为0.060in或更小一些(0.05in,0.5mm,0.4mm,0.3mm等),阵列状封装技术使高了许多元器件的性能提,尺寸进一步降低。 双列直插式(DIP) 图(a)是DIP的 (b)则是DIP的DIP的 (b)可以看出,DIP在后再用塑料密封。 无引线陶瓷封装 无引线陶瓷封装实例见图1-5。这种封装器件的管脚不是一些引线,而是一些平整的焊盘, 其封装基材是气密性的陶瓷。这种封装多用于军事和电信产品。在引入这种封装技术的同时,也出现了无引线陶瓷封装的有引线封装版本。无引线元器件的管脚间距一般为0.040in和0.050in,而有引线元器件的管脚间距通常为0.050in。 PQFP(Plastic Quad Flat Package)封装 thermosonic gold ball wedge bonding)。最后用塑料浇铸到半导体集成块上面,同时引线被剪切成型(管脚就形成了)。图1-6(a)是PQFP解剖图。PQFP的管脚就像海鸥的翅膀,而PLCC的管脚是J型的,并弯向器件的底部。QFP的管脚间距为0.5mm时是比较合适的,其制造和组装(SMA,Surface Mount Assemble)工艺性都比较好。考虑到封装成型能力和管脚长度对电气性能的影响,一般认为当QFP的外框面积(不含管脚)超出30mm2时,就不太理性了。鉴于此,对于0.5mm pitch的QFP,其I/O管脚数要限定在200个左右。现在,有些IC制造商已经推出了0.4mm pitch的QFP。从图1-7可以看到基于PQFP技术的各种塑料封装SMD的尺寸差异。 陶瓷或塑料QFP、PLCC多用于封装门阵列和标准蜂窝逻辑集成电路以及微处理器。而在存储器(SRAM、DRAM)和线性半导体等这类元器件中经常会看到SOP、SOJ的踪影。但不论是以上提到的任何一种种封装形式,其管脚数目都会受到成型能力和封装尺寸最小化需求的限制。 0.5pitch 0.4pitch 0.3pitch 0.2pitch 0.15pitch 0.1pitcch PGA(Pin Grid Array)与PAC(Pad Array Carrier) 5、球形阵列封装 BGA是封装形式的一大进步,封装材料有塑料或陶瓷等。图1-9是PBGA的剖面图。 PBGA的焊球一般为可回流的共晶合金Sn62Pb36Ag2或Sn63Pb37,在焊接时自对中能力很好; CBGA和TBGA的焊球为Sn10Pb60,熔点温度很高(304度左右),在回流焊时不会融化,其自对中能力较差。 BGA封装0.5mm pitch的BGA已经非常流行。 SMA工艺性能特别好。由于植在BGA底部的焊球(一般为SnPb共晶合金),其焊料充足,对于1.27、1.0mm pitch的BGA其焊接质量足以达到6- sigma的水平。而且,球形管脚不像细间距QFP那样容易变形。 外形尺寸小。其厚度已经可以做到1mm。 具有优异的电气性能。其球形管脚短小精悍,因此连接阻抗和介电常数低,其基材可以采用低耗散的材料。 MCP(Multichip Package,多芯片封装。许多FLASH就是采用这种封装,通常把ROM和RAM封装在一块儿)也是基于BGA封装技术。 从表1-1可以看出BGA管脚数在近几年可能发生的变化。在2000年,近60%的BGA,其 管脚间距是1.27mm或1.00mm,其他BGA的管脚间距为0.8mm或0.5mm。到2004年,有人估 计将会有近60%的BGA的管脚间距变为0.8mm

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