emc电磁兼容基本介绍(一).ppt 385页

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  • 2017-10-06 发布
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    emc电磁兼容基本介绍(一)

    1、常用EMC滤波器件介绍 共模电感 1、常用EMC滤波器件介绍 例:电源线滤波器特性 1、常用EMC滤波器件介绍 例:电源线滤波器错误安装 1、常用EMC滤波器件介绍 例:电源线滤波器错误安装 1、常用EMC滤波器件介绍 例:电源线滤波器正确安装 1、常用EMC滤波器件介绍 例:电源端未加共模线圈 1、常用EMC滤波器件介绍 例:电源端加共模线圈 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 瞬态抑制器件分类: 基本上可以分为两大类型 1.第一种类型为橇棒(crow bar)器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低,因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放,而且也使功耗大大降低。另外该类型器件的漏电流小,器件极间电容量小,所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、半导体发电管等。 ?2. 另一种类型为箝位保护器,即保护器件在击穿后,其两端电压维持在击穿电压上不再上升,以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV),瞬态电压抑制器(TVS)等。 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 PTC作动时间曲线 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 ◆ZnO压敏电阻MOV(metal-oxide varistor ) 是一种伏安特性呈非线性的电压敏感元件,在正常电压下相当于一个小电容,当电路出现过电压时,它的内阻急剧下降并迅速导通,其工作电流增大几个数量级通过串联在电路的“电阻压降”而维持原电压,压敏电阻与电路是并联使用,从而保护电路不受过电压的影响而损坏。氧化锌晶粒电阻率很低,而晶界层电阻率很高,相接触的两个晶粒之间形成一个势垒,这就是压敏电阻单元,每个单元的击穿电压大约为3.5v,将许多单元加以串联和并联就构成了压敏电阻,压敏电阻在工作时每个压敏电阻单元都承受浪涌能量,基片的横截面积越大其通流量也越大,氧化锌压敏电阻是一种嵌位型的防护元件,分为单片型,组合型和模块型等结构。 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍  ZnO压敏电阻器是一种以ZnO为主体、添加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。它的微观结构如图1所示,ZnO陶瓷是由ZnO晶粒及晶粒边界物质组成的,其中ZnO晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体,晶界物质中含有大量金属氧化物形成大量界面态,这样每一微观单元是一个背靠背肖特基势垒,整个陶瓷就是由许多背靠背肖特基势垒串并联的组合体。下图时压敏电阻器的等效电路。 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 压敏电阻MOV电路保护原理 V=VsZv/(Zs+Zv) 式中Zv :压敏电阻阻抗 Zs:电路总阻抗(包括浪涌源阻抗Zs) 当过电压时,Zv的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧,甚至小于1Ω ,Zv在瞬间流过很大的电流,过电压大部分降落在Zs上。 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 ZnO压敏电阻参数(Brightking) 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 8/20us电流测试波形 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 ZnO压敏电阻伏安特性曲线 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 叠层式ZnO压敏电阻(简称MLV) 在MLV的内部ZnO陶瓷层与金属内电极层呈交替叠加结构,相邻两内电极层与所夹的陶瓷层组成一个单层“压敏电阻”,这些单层的压敏电阻又通过外电极并联在一起,从而大大提高了有效电极面积使瞬态过电压产生的热量散发在外电极,从而保证了能量耐受能力,MLV体积很小一般用于ESD防护。 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 ZnO压敏电阻元件的原则: 根据被保护电源压选择压敏电阻器的规定电流下的电压V1mA。一般选择原则为: 对于直流回路:V1mA≥2.0VDC 对于交流回路:V1mA≥2.2V有效值 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 ◆瞬态抑制二极管( TVS-Transient Voltage Suppressor ) 1.TVS管是半导体硅材料制造的特殊二极管,它与电路并联使用,是箝位型的干扰吸收器件。电路正常时TVS处于关断状态呈现高阻态,当有浪涌冲击电压时能以nS量级的速度从高阻态转变为低阻抗吸收浪涌功率,使浪涌电压通过自身到地,从而保护电路。 2.特点:响应速度快,削减尖峰能力强。 3. TVS管有单方向(单个二极管)和双方向(两个背对背连接的二极管)两种,它们的主要参数是击穿电压、漏电流和电容。 2、抗干扰瞬态抑制器件介绍 TVS管伏安特性曲线 VB--击穿电压 IT –VB对应的反向电流 一般取值为1 mA VR—反向截止电压 VC--最大箝位电压 PM--最大允许脉冲功率 PM=VC*

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    • 内容提供方:sandaolingcrh
    • 审核时间:2017-10-06
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