铜酞菁的溶解及纳米铜酞菁薄膜的制备-中国科学杂志社.PDFVIP

中国科学 B 辑 :化学 2008 年 第 38 卷 第 11 期 : 1006 ~ 1010 SCIENCE IN CHINA PRESS 铜酞菁的溶解及纳米铜酞菁薄膜的制备 * 苏瑾莉, 薛敏钊, 马宁, 盛巧蓉, 张青, 刘燕刚 上海交通大学化学化工学院, 上海 200240 * 联系人, E-mail: mzxue@ 收稿日期：2008-05-08; 接受日期：2008-08-08 摘要 通过增加铜酞菁(CuPc)溶液中三氟乙酸(TFA) 的浓度, 使铜酞菁发生质子 关键词 化反应得到[CuPc·H]+和[CuPc·H ]2+ 两种衍生物, 并用紫外可见分光光度计进行表征. 铜酞菁 2 + 2+ + 2+ 质子化 [CuPc·H] 和[CuPc·H ] 两种衍生物的Q 带相继发生红移. [CuPc·H] 和[CuPc·H ] 两 2 2 种衍生物的 Q 带都发生裂分, 表明两种衍生物具有不对称结构. 铜酞菁发生质子化 电沉积 晶体取向 反应后在有机溶剂中的溶解度增大了60 倍, 放置两周后不会发生降解. 以发生质子 化反应的铜酞菁溶液为电解液, 用电沉积方法在 ITO 导电玻璃上制备铜酞菁薄膜, 并用扫描电镜(SEM)和X 射线衍射(XRD)进行表征. 在ITO 基片上沉积的纳米CuPc 薄膜, 尺寸在 100~200 nm 之间, 具有α 相晶体结构, 分子的堆积方向(b 轴)平行于 基片. [1] 1 引言 稳定性, 广泛应用在气体传感器 、有机发光二极管 金属和无金属酞菁是研究较早的有机光电子材 (OLEDs)[2] 、有机场效应晶体管(OFET)[3] 、有机太阳 能电池及其他光电器件[4,5] . 目前铜酞菁薄膜的制备 料, 其禁带宽度接近 1.8 eV. 铜酞菁(CuPc, 图 1)作为 一种典型的 p 型有机半导体材料, 具有化学、热及光 主要采用真空蒸镀技术[6~8], 而真空蒸镀具有能耗 高、操作复杂等缺点. 溶液法是一种低能耗、便于控 制膜结构、操作简便、易于大面积制备有机半导体薄 膜的方法. 铜酞菁在有机溶剂中的溶解度极差, 难以 达到溶液法对浓度的要求. 因此对铜酞菁溶解的研 究是非常有必要的. 研究者们对酞菁的溶解做了大量的研究. 早在 1990 年有文献报道[9]用路易斯酸溶解杂环刚性链聚