铬掺杂02PZN－08PZT压电陶瓷的.PDFVIP

第26卷第 1期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．26，No．1 2007年 2月 J．InfraredMillim．Waves February，2007 文章编号 ：1001—9014(2007)0l一0069—05 铬掺杂 0．2PZN-0．8PZT压 电陶瓷的 XRD和 Raman散射分析 路朋献 ，许德合 ，马秋花 ，王改民，侯永改，周文俊 ，栗政新 (1．河南工业大学 材料科学与工程学院，河南 郑州 450007； 2．信息工程大学 测绘学院，河南 郑州 450052) 摘要：采用XRD与Raman散射研究了cr掺杂0．2PZN-0．8PZT压电陶瓷微观结构的变化。cr掺杂导致三方一 四方 相变和晶体 四方度增大，Raman散射关于晶格参数和相结构的分析得到了XRD的验证。通过研究不同结构 中Ra- man振动模式，可揭示掺杂诱导的两相共存压电陶瓷微观结构的变化。 关 键 词：Cr掺杂；0．2PZN-0．8PZT；X光衍射；拉曼散射；压电陶瓷 中图分类号：0437．3 文献标识码 ：A XRD AND RAMAN SCATTER G ANALYSISoN CHRoM 】[IJM DoPED 0．2PZN10．8PZT PⅡZoCERAM ICS LU Peng—Xian ‘ ， XUDe—He， MAQiu—Hua，‘WANGGai—Min，‘ HOUYong—Gai，‘ ZHOU Wen—Jun ‘。 LIZheng—Xin ‘ (1．CollegeofMaterialsScienceandEngineering，HenanUniversityofTechnology。Zhengzhou 450007，China； 2．MappingCollegeofInformationEngineeringUniversity，Zhengzhou 450052，China) Abstract：ThemicrostructuralchangesoriginatedfromCrdopingin0．2PZN-0．8PZTpiezoelectricceramicswereinvestiga- tedbymena sofXRD nadRamna scattering．Thephasetrnasitionfrom rhombohedraltotertagonalnadtheincreaseofcrys． taltetragonallityarecausedbyCraddition．，I1lestudiesaboutthelatticeparameters nadhtephasertnasitionthroughRma na scatteringareconfimr edbyXRD．So．themicrostructuralchnagesinducedbydopinginthepiezoelectricceramicswitlltet- ragonalandrhombohedralstructuressimultaneouslyCnaberevealedhtmuhg thenaalysisofhteRamanvibrationmodesin differentstructures． Keywords：Crdoping；0．2PZN-0．8PZT；XRD ；Rma na scattering；piezoelectricceramics 体结构和离子振动状态，可揭示掺杂的微观机制． 引言 XRD和Raman散射是研究铁电材料微观结构 具有准同型相界 (MPB)组成的Pb(zr，Ti)O 的常用方法．XRD侧