PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善-中国科技论文在线.PDFVIP

中国科技论文在线 PECVD 薄膜颗粒缺陷研究和改善 王铁渠，黄其煜* （上海交通大学电子信息与电气工程学院，上海 200240 ） 5 摘要：在半导体集成电路制造PECVD 工艺中，经常会遇到薄膜颗粒缺陷问题。本论文总结 了PECVD 中薄膜颗粒的类型和形成原因以及改善方法。PECVD 工艺中的薄膜颗粒缺陷分 类主要分为掉落颗粒（fall on particle ）缺陷和成膜颗粒（in-film particle ）缺陷。造成fall on particle 缺陷的原因主要是机械传送过程中的刮擦或 PECVD 化学反应腔不清洁。 In-film 10 particle 缺陷的的主要原因是PECVD 化学反应腔或气体管路腔密封不严导致外界氧气混入， 化学反应提前发生所造成。针对fall on particle 缺陷,