DIODED 知识123.pdf

关于后续交流问题的回复 150902 苏州固锝 150906追加说明 150918追加说明 承蒙贵司一直关照,就贵司提出的以下问题就先简单回复, 有不完善之处还请多多包涵, 后续将继续内部讨论逐步更新.期待大家一起讨论提升.感恩. 问题回复: 1,贵司二极管最新沟槽工艺跟二极管的平面工艺的区别和优势。 150902 GA回复: 首先ＳＢＤ的含义是SchottkyBarrierDiode之前提. 不同点： 沟槽构造的主要目的是阴极里面的P 型扩散部在硅板(SI)和Barrier metal的Schottky结 合部中降低导通的反向漏电流. 平面构造是芯片(N型)的阴极电极的周边部中让P型扩散并 增加空乏层.这样可以更加提升安定的耐压. 优势比较 沟槽构造中阴极电极内部有P型部分,当加入反向电压时,NP部分中N部就被P部包围,增加 空乏层,P-P层之间相互的空乏层就重叠,这样就控制了反向漏电流,反向漏电流就低.以下图 中,最上面是平面构造,上面是阳极,下面是阴极,在P下为空乏层.第二图为unction Barrier Controlled Schottky构造,最下面为沟槽构造(Trench ckontact typ). 再简单汇总: 平面工艺可以使电压提升,沟槽工艺的优势在IR更低VF也更小. 2, 二极管芯片设计时过电流、耐压极限值和管控标准以及测试方法。 150902 GA回复: 进行决定二极管规格的晶粒的设计时，主要特性是额定电压（VRRM）和流过的额定电流（IF （AV））、峰值正向电压（VFM），这些是主要的项目。 另外，过电流（IFSM）一般地是以从额定耐压（VRRM）和额定电流（IF（AV））、峰值正向 电压（VFM）中求得晶粒尺寸，确认其实际组装在产品中的实力值从而决定其保证值的。其他 的方法，还有预先决定过电电流（IFSM）的值，再来确定能够耐受该值的晶粒尺寸。那设计 时取多少余量呢？是根据所使用的硅片（OSL、Epi）的种类、规格幅度（ρs的分布）等而 受到影响的，不过，通常都是确保额定耐压的20%以上。因为不同的产品，其耐压和正向电 压是逆关联的，所以有时也会为了保证正向电流最大限度地小，而将耐压的余量做成5%的程 度。 3 二极管芯片应用主要管控哪些主要参数，设计怎样提高参数余量。 3.1、正向浪涌IFRM、IFSM。 150902 GA回复: 正向浪涌电流是指流过二极管的电流的非反复正弦波的1个循环的最大容许电流值。流过的 浪涌电流如果超过容许电流值的话，晶粒会因大电流而导致发热，超过500℃，就会溶融， PN结被破坏而形成短路。 这个瞬时过电流，是将在通电时，结温瞬间超过保证温度TjMAX，在使用期间累积次数总和 在100次以下的异常时流过的电流为对象的。 使用电路，带有电容等的容量负荷时，电源投入时的初期，为了给电容充电而会流过浪涌电 流，之后负荷电流稳定，不过，这个浪涌电流反复进行时，抑制浪涌电流的峰值就是重要的。 一般地，反复流过浪涌电流值的目标值推荐额定的50%以下。但是，不能选定浪涌电流值大 的二极管的情况下，考虑使用期间的动作时间，进行用与实机相近的浪涌电流反复通电的寿 命试验，从发生不良的界限时间来确认余量。 3.2、反向恢复时间和反向最大电流，跟实际运用怎么关联.IRM是否管控。 150902 GA回复: 反向恢复时间（trr）是指在流过正向电流之后立即施加了反向电压（VR）时，存在于晶粒内 容的电子（－）和空穴（＋）在PN结的部位的耐压恢复，空乏层伸展的过程中，向反方向移 动的作为反向电流（IR）所流过的时间。 正向上流过电流的现象是电子自阴极电极部位向阳极电极方向移动，相反空穴地自阳极电极 部位朝着阴极电极部位移动的，就是电流流过。 将时间瞬间停止的话，与电流值匹配的数量的电子和空穴，就存在于晶粒内部。