发光二极管光取出原理及办法.pptxVIP

2 发光二极管光取出原理及方法;2.1 发光二极管光取出原理;光在产生及辐射过程中的损失;影响光取出效率的三个原因 1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（window layer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（Current Blocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面 2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时，一部分光会被反射回去。菲涅尔损失系数为 若n1=3.4,n2=1,则 ，也就是70.2％的光可以投射半导体与空气的界面 ;3，全反射损失：只有小于临界角内的光可以完全被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。 解决措施：一般情况下用环氧树脂做成圆顶（Semispherical Dome），放在LED芯片上，可以大大增加临界角，但是制造成本同时增加;一种经济的减少全反射的方法是将p-n结用环氧树脂包封起来，利用模具可以很方便地浇铸成半球形封帽。如下图所示，目前工业化生产地单体发光二极管多采用类似结构;2.2 增加光取出率的方法;惠普公司采用4个50nm厚的AlInGaN/ GaN量子阱，发现其发光效率要比在同等厚度下的非量子阱活性层效率高30％。 下图是南昌大学教育部发光材料国家重点实验室制备的InGaN/ GaN量子阱，数目为5个 ;Si (111) 衬底上的InGaN/ GaN MQW的TEM (a) 明场像; (b) 高分辨像;外延在异质衬底上的GaN失陪位错及线性位错密度一般位 ，其他的晶体缺陷包括晶界、堆垛层错，这些缺陷都是非复合中心。会在带隙中引入能量态和降低少数载流子的寿命。 缺陷会提高器件的阈值电压和反向漏电流，降低载流子迁移率和热导率。这些不利效应将阻止理想性能的复杂结构的、大面积大功率器件的制备;2.3 改进内部结构;钟南峭骄痔婿姥磷琼锑洱韭粗拄熊槽乃盒舒倾仔贵囤己炽间扬裹动俊氖目发光二极管光取出原理及方法发光二极管光取出原理及方法;ITO薄膜在可见光波段具有很好的透光率，尤其在波长为460nm处，透光率为95.5%。 相比之下，Ni/Au薄膜在460nm波段处，透光率只有60一75%。ITO氧化物其禁带宽度 (即能隙)在E=3.5eV，所以可见光(1.6~3.3eV)的能量不???以将价带的电子激发到导带。 自由电子在能带间迁移而产生的光吸收，在可见光的范围不会发生，ITO对可见光透明 ;从图3一5中可以看出在高电流时，ITO的P型接触的具有更高的输出光功率及更好 的光电转换效率。在驱动电流为20mA时，ITO的P型接触的LED的光输出功率为 5mw，而Ni/Au的只有3mw。因此，ITO工艺的LED相对于Ni/Au工艺的光输出功率 提高了60%。 ;补充 ：LED 发光机制;载流子的扩散及漂移之间的平衡被打破，扩散流大于漂移流，即产生电子由n区注入p区和空穴由p区注入n区的净扩散流，如图所示。 这些进入p区的电子和进入n的空穴都是非平衡少数载流子，非平衡少子边扩散边与多数载流子复合而发光，经过比扩散长度大几倍的距离后，全部被复合，这段区域称为扩散区，这就是p-n结中的非平衡载流子注入发光。 ;2、异质结注入发光 为了提高少数载流子的注入效率，可以采用异质结。 图19（a）表示理想的异质结能带示意图。 当加正向偏压时，势垒降低。但由于p区及n区的禁带宽度不等，势垒是不对称的。 加上正向偏压，如图19（b），当两者的价带达到等高时，p区的空穴由于不存在势垒，不断向n区扩散，保证了空穴（少数载流子）向发光区的高注入效率。 ;对于n区的电子，由于存在势垒ΔE（=Eg1-Eg2），不能从n区注入p区。这样，禁带较宽的区域成为注入源（图中的p区），而禁带宽度较小的区域（图中n区）成为发光区。 例如，对于蓝光LED中采用的InGaN-GaN异质结，发光波长在460nm附近时，带隙约为2.7 eV，相当于InGaN的禁带宽度。发光区（Eg2较小）发射的光子，其能量hv小于Eg1，进入p区后不会引起本征吸收，即禁带宽度较大的p区对这些光子是透明的。 因此，异质结发光二极管中禁带宽的部分（注入区）同时可以作为辐射光的透出窗，可以制成正面出光的LED;3、量子阱发光 在禁带较宽的GaN材料上异质外延一层极薄的InGaN阱层，然后再异质外延厚的GaN垒层，形成量子阱结构。 如果不考虑这种结构中InGaN与GaN间电子及空穴交换而引起的能带弯曲，则其能带图如图20（a）所示，当外加电流注入时，电子发生迁移，掉入势阱中，只要InGaN夹层足够薄，其中的电子和空穴就可以视为处于量子阱中，如图20（b）。 ;势阱沿z方向很窄，电子在z方向被