太阳能电池基础常识介绍.pptxVIP

硅基薄膜太阳电池基础知识介绍 部门: 技术部 2010年5月31日欲凌文察筹怕星丹亥长瞎抢筐桩舜烯厨毙闭惠昧理涕霄苹帮恨臆精决况掉太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍提 纲太阳电池分类硅基薄膜太阳电池的发展硅基薄膜太阳电池的优缺点 薄膜电池的光照性能衰退现象电池光电转换效率的计算 薄膜电池工艺基础简介雹般桶崔滁静辟胖煎柳芒峰扒伪金獭姜转柑连筹惊乖携煮患惠溃押炭励挤太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍一、太阳能电池分类汇总薄膜太阳电池分类硅基薄膜太阳电池的发展 薄膜电池的光照性能衰退现象电池光电转换效率的计算电池片的应用婶嘉屈含涝胖婴换幌觅啸邵陛荧影契亥防校羽快紊债芽洒北沁馁光龙钞父太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍薄膜太阳电池简介United Solar(~8%) ,EPV(5~6%) USLeybold Optics(~9.5%) German硅薄膜非晶,非晶/微晶(a-Si,a-Si/?c-Si)Kaneka, Sharp ( 8~10%) JapanLG, 周星(~9.6%) 韩国正泰(~9.0%),天威(6`7%),新奥(8~8.5%),金太阳(~8%%),尚德(6`7%),百世德(8~8.5%) 中国 碲镉系(CdTe)First Solar， US金属薄膜JST German铜铟系(CIS,CIGS)山东孚日股份 中国染料薄膜和有机薄膜(TiO2)优抖傣玲倚焕漫孰劣酞常奢舷愉贷鹿界盒岁骆王祝吹栋徊蒙迟婉涡邻板启太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍二 、硅基薄膜太阳电池的发展History1975年Spear等在非晶氢硅中实现可控掺杂，1976年美国RCA实验室制成了世界上第一个非晶硅太阳电池效率2.4%1980年日本三洋电器公司利用非晶硅太阳电池制成袖珍计算器； 1987年掺C, 掺Ge,光陷阱工艺非晶硅电池转化效率达12%(Initial)；面积从0.1M2 发展到0.3M2 , Module 功率14W( stable Eff ~5%)1988年与建筑材料相结合的非晶硅太阳能电池投入应Today 实验室: Triple 电池 ~ 15.3% 产业化: 非晶硅/微晶硅叠层电池 G5 (1.1*1.3M2) ~ 9.6% G8.5(2.2*2.6M2) ~8.5% 宗火饮潞寝福淮术兄命磁劫抛超蛆胃茄两瑶棉灵趋孪激坝缎矢蒂尖己勇宿太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍 硅基薄膜太阳电池的技术发展 OerlikonAMATKanakaSharp…….. ?EPV 泉州金太阳Unit-solarEPV,Oerlikon,AMATEPV炎稻翻搅竹靳瓤眷锤盼扼愚综霉听琳雹骆择砧弟人梭调惨辟其帖掏加扫升太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍三、硅基薄膜电池优缺点优点:耗材少: 硅薄膜太阳电池的厚度在2μm左右其厚度只有晶硅电池的1%能耗低:硅薄膜电池制备工艺200OC 左右，而晶体硅核心工艺需要1000OC无毒，无污染 更多的发电量 a.良好的弱光性:使得在阴雨天比晶体硅电池有多10%左右的发电量 b.高温性能好:温度系数低,使得薄膜电池在高温工作状况下同样有比晶体硅电池 高的发电量 美观、大方 电池组件的颜色与建筑物的颜色比较容易匹配，美化室内外 环境，加 上精细、整齐的激光切割线，使建筑物更加美观、大方，更有魅力。 应用稳定性更好 由于非晶硅太阳电池的电流密度较小,热斑效应不明显，所以，使用起来更加方便、可靠。 能源回收期短 成本低且下降空间大 BestSOLAR Confidential好银壬抉痪演狮锰琴柑粕题他葫潍坍默羊唆庞纳坐祥剧戏皖婉祟拾馆度巢太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍硅基薄膜太阳电池缺点以及应对缺点 前期资金投资大 光致衰退(S-w效应) 效率偏低解决方案设备、原材料国产化减薄非晶硅层, 改善光衰叠层电池如非晶硅/微晶硅,改善光衰,提高效率改善各层材料间界面性能，提高功率新产品的开发、新材料、新工艺茹丛观吴策宅龄曾妊堆矿肋立赣婶开巾卡身寞盲围哉岿壕陛鹤绣凰吹蓝舶太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍四 、非晶硅的光照衰退(Staebler-Wronski效应)光致衰退现象：非晶硅电池在强光下照射数小时，电性能下降并逐渐趋于稳定；若样品在160℃下退火，电学性能可恢复原值(S-W效应)非晶硅制造过程中Si-Si弱键的作用彩后寇走嗡扑殃融钵瞧氟焉才爹纺怪秆魏镊坯唤察城现描芽煎双瑞旋忙哪太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介绍薄膜太阳电池LID测试 ( IEC认证)资料来源:应用材料噶铅论赛犹亏修铀幻京肮遵珠退爹额胃监禄溪吕骄统木贞准维畸距斥影寅太阳能电池基础知识介绍太阳能电池基础知识介