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专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版) 全套课件(下).pptx 585页

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第5章 模拟集成电路设计技术5.1 电流源5.2 差分放大器5.3 集成运算放大器电路5.4 比较器5.5 带隙基准5.6 振荡器 5.1 电 流 源  集成电路设计者的主要工作是设计电路,包括电流的设计。为了给各电路提供设计所指定的电流,常使用电流镜电路,它是集成电路的基本电路。其主要用途有:做有源负载;利用其对电路中的工作点进行偏置,以使电路中的各个晶体管有稳定、正确的工作点。下面我们来讨论模拟集成电路中各种类型的电流源电路。5.1.1 双极型电流源电路 在集成电路中,偏置电路和晶体管分立元件的偏置方法不同,也就是说,晶体管分立元件通常采用的偏置电路在集成电路中是不适用的。为了说明这个问题,我们先看一个例子。 图5-1是晶体管共射放大电路。Rb1、Rb2是偏置电阻,通过分压固定基极电位;Re是射极反馈电阻,起着直流反馈和保证工作点稳定的作用。图5-1也是晶体管分立元件通常采用的偏置电路,现在来估算一下这种偏置电路中的各个电阻的阻值。图5-1 晶体管共射放大电路 例如:ic=13 μA,β=50,UDD=15 V, 求Rb1、Rb2的阻值。当ic=13 μA时,ib=0.26 μA,按晶体管电路原理中的i1≥(5~10)ib的选择原则,取i1=5ib=1.3 μA,再按基极电位ub=(5~10)ube的选择原则,取ub=4 V,这样Rb1约要3 MΩ,Rb2约为7 MΩ。这样大的阻值在集成电路中所占有的面积是无法实现的,因此这种偏置电路不适用于集成化的要求。在模拟集成电路中常采用电流源电路作为偏置电路。 1. 基本型电流源 图5-2是基本型电流源电路,它是由两个匹配晶体管V1、V2构成的。设两个晶体管完全对称,前向压降ube1=ube2,电流放大系数β1=β2。ir为参考电流,io为电流源输出电流。现在来推导它们之间的关系。 (5-1) 因为 (5-2)所以 (5-3) (5-4)图5-2 基本型电流源电路 当β很大时,电流源输出电流约等于参考电流,因此这种电流源也叫做“镜像电流源”。给定了参考电流ir,输出电流也就恒定了。这种电流源电路简单,但误差大,当β较小时,io与ir匹配较差,且灵活性差,适用于大电流偏置的场合。 2. 电阻比例型电流源电路 图5-3所示是由双极型晶体管构成的电阻比例型电流源电路的原理图。 通过改变R1与R2的比值,即可改变输出电流io和参考电流ir之比。由图5-3可以写出如下公式: UBE1+ie1R1=UBE2+ie2R2 (5-5) UBE2-UBE1=ie1R1-ie2R2 (5-6)图5-3 电阻比例型电流源其中:ie1为V1的发射极电流,ie2为V2的发射极电流。根据晶体管原理又可以写出如下公式: (5-7)则 (5-8) 其中:is1和is2分别是V1、V2单位面积的反相漏电流。 设V1、V2两个管的发射区面积相同,在工艺上实现的单位面积反相漏电流也相同,即is1=is2,则可以得出 (5-9)比较式(5-6)和式(5-9)可得 (5-10)因为io=ic1≈ie1,在忽略基极电流的情况下,ir≈ic2≈ie2,则有 (5-11)   当io≈ir或 irR2>> 时,得出 (5-12)  可见,输出电流io和参考电流ir之间的关系可由R2和R1的比值来决定,因此灵活性大。该电流源还有温度补偿作用,如当温度升高时,UBE1下降,同时UBE2也下降,抑制了输出电流io上升。 3. 面积比例型电流源 比例电流源除了用图5-3中V1、V2射极加R1、R2电阻来实现外,还可以不加电阻,而通过改变V1、V2两管的发射区面积比来实现,这种方法同样也可以改变输出电流io和参考电流ir的比例关系。设V1、V2两管的β1、β2均大于等于1,在忽略基极电流的情况下,则有 io=ic1≈ie1 (5-13) ir≈ic2≈ie2 (5-14) (5-15)  (5-16) (5-17)式中,Ae1、Ae2分别为V1、V2两管的发射区面积, 、 为V1、V2两管单位面积的反向漏电流。 在集成电路版图设计时,常把V1、V2两管靠得很近,加上工艺相同,掺杂浓度相同,因此两个管子单位面积的反相漏电流可以认为相同,即    。另外,由图5-2电路可知,V1、V2两管的正向压降也相同,即UBE1=UBE2。这样由上面几个公式可以得出 (5-18)  因此在版图设计时,只需根据io和ir比值的要求,设计出相应的发射区面积Ae1和Ae2即可。 4. 微电流电流源 一般而言,ir由主偏置电流提供,其值一般比较大。要想获得较小的输出电流,可采用微电流电流源来实现。 由图5-4可知: UBE2=UBE1+ie1R1 (5-

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