新型碳化硅陶瓷材料的制备与应用研究.pdfVIP

学术交流 新 型碳化硅 陶瓷材料 的制备与应用研 究 思 芳 西安工程大学机电工程学院 【摘 要】碳化硅陶瓷由于具有优 良的高温强度、耐磨性、耐腐蚀性以及抗热震性而得到越来越多的关注，一种优质陶瓷材料，在航空航天、电力电子、机械工 业、石油化工等许多领域得到广泛应用。本文筒要介绍了碳化硅陶瓷材料的的特性及几种碳化硅陶瓷合成的新方法，并对其发展趋势进行了讨论与展望。 【关键词】碳化硅；性能；应用；合成方法；烧结 1引言 碳化硅是一种人造材料 ，只是在人工 臻 合成碳化硅之后，才证 实陨石 中及地壳上 偶然存在碳化硅Ⅲ。Sic是 以共价键为主的 械 共价化合物，由于碳和硅两元素在形成sic 晶体时，它的基本单元是四面体，所有SiC 均 由SiC四面体堆积而成，所不同的只是平 行结合和反平行结合，从而 形成具有金刚 石结构的SiC。 由于碳化硅原料共价键 占 80％左右 ， 因此很难在常压下烧结致密，为 了使碳化 硅 陶瓷烧结 ，常采用反应烧结、热压烧结 等方法烧结制 品，但是制品的性能也不尽 理想。近年随着碳化硅制品烧结理论 的发 展，微粉 性能的提 高，烧结助剂的多样化 巍 鸭 tl t 瓤 l 和深入研 究，采用无压烧结工艺烧结高性 镰 鹞 ，尊 ： 能碳 化硅 制 品的工 艺开 始发 展并不 断 完 图11几种常见的Sic原子堆垛示意图 善 。碳化硅制 品无压烧结法 ，工艺简单、 Fig 1 1 Diagramma~ic sketch of CO~ OR SiC a1：oma fauIt 成本低廉 ，烧 结后 的制 品性能优 良，从而 成为一种很有发展前途的烧结方法_2]。 相 比要小得多。SiC所具有的低热膨胀系数 即SiO和Si0，一般条 件下生成 具有保护 2．碳化硅 和 高导热系数 ，使其制品在加热及冷却过 功能 的SiOo膜 ，随反应的进行 ，重量不 断 2．1碳化硅 的特殊结构 程 中受到的热应力较小，这就是SiC陶瓷抗 增加 ，但反应速度越 来越慢 ，这种氧化称 对碳 化硅 结 晶结 构 的研 究 ，揭示 出 热震性特别好 的原因。 为钝性氧化 (PasSive Oxidation)；SiC的 它有许多不同结晶类型_5J，其共有75种变 SiC的硬度相当高，仅次于几种超硬材 氧化在高温 、低氧分压情 况下，生成气相 体 ，如3c—sic、4H—SiC、l5R—SiC等 ，其 中 料 ，高于刚玉而名列普通磨料 的前茅 ，莫 SiO而不具有保护功能，质量快速减小，反 Ⅱ～SiC、 B—SiC最为常见 。 —SiC的晶体结 氏刻痕硬度为9．2，克 氏显微硬度为2200～ 应速度越来越快 ，这种氧化称 为活性氧化 构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶 2800kg／mm。(负荷lOOg)。研究表 明：在一个 (Active Oxidation)。碳化硅氧化 即在其 格 ；Q—SiC存在着4H、15R~fl6H等100余种多 结晶体 内，由于方 向不 同，最硬 的与最软 颗粒表面生成一层致密的二氧 化硅层 ，氧 型体 ，其 中，6H多型体为工业应用上最为普 的差别可达800kg／mmz以上 。SiC的热态硬度 化层 的形成一定程度上降低 了多孔 碳化 硅 遍 的一种 。在SiC的多种型体之间存在着一 虽然随着温度 的升高而 下降，但仍 比刚玉 陶瓷的性能 ，但 同时也可 以利用其 氧化 性 定的热稳定性关系，在温度低于1600℃时， 的硬度大很多。碳化硅 的机械强度高于刚 能在 空气 中低温合成多孔碳化硅陶瓷。氧 SiC以 —SiC形式存在 。当高于l600℃时， 玉，如SiC的抗压强度为224MPa，刚玉为 化 结合碳化硅具有烧结温度低、烧 结时间