太阳能电的池制造工艺.pptVIP

太阳能电池制造工艺 制绒-刻蚀-镀膜 培训内容 制绒 清洗 刻蚀 去PSG 镀膜 制绒的作用 去除损伤层 单晶制绒: 硅的晶体结构 硅的晶向 单晶制绒的原理 NaOH（氢氧化钠） IPA（乙丙醇） Na2SiO3（硅酸钠 化学原理： Si + 2NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2H2↑ 绒面结构的二次吸收 多晶制绒: 化学原理硅被HNO3氧化，反应为：用HF去除SiO2层，反应为：总反应为： 工艺控制 所需药品 HNO3（硝酸） HF（ 氢氟酸） 溶液的浓度度 溶液的温度 腐蚀时间 清洗 清洗 盐酸（HCl）的作用： 去除金属离子 去除表面残留的碱溶液 氢氟酸（HF）的作用 去除氧化物 生成疏水的表面 安全防护 盐酸 强酸性 易挥发 氢氟酸 强腐蚀 性 易挥发 防护措施 防护面罩 耐酸碱手套 等离子体刻蚀 注意事项 单面扩散的硅片要注意正反面，镀膜面为扩散面，如果镀膜在另一面印刷时会在电池的扩散面印刷铝背场，在烧结时铝会穿过并破坏PN结 等离子刻蚀目的 什么是等离子体？ 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中的电子因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电子，原子失去电子变成带正电的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混合物 。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第四态。 等离子体的产生 等离子体刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 等离子体刻蚀反应 等离子体刻蚀工艺 装片 　在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。 工艺设置 边缘刻蚀控制 短路形成途径 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 控制方法 对于不同规格的硅片，应适当的调整辉光功率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。 刻蚀工艺不当的影响 检验方法 冷热探针法 检验操作及判断 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。 等离子刻蚀注意点 单面扩散在镀膜结束前绝对不能搞混正反面 刻蚀前要保证硅片边缘对齐 辉光过程注意实际输出功率和反射功率以及辉光颜色 什么是磷硅玻璃？ 在扩散过程中发生如下反应： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 PECVD PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积，其它的有HWCVD，LPCVD，MOCVD等。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 工艺流程 上料—加热-镀膜-冷却—下料 PECVD原理 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CV