运动控制系统 李宁 第二章第二节.pptVIP

Power MOSFET 功率MOSFET，单极型的电压控制器件 本节主要内容 结构与工作原理 静态特性与参数 输出特性 以栅源电压VGS为参变量反映漏极电流ID与漏极电压VDS间的关系曲线族，如图2-18a所示 饱和特性 转移特性 功率MOSFET的输入栅源电压UGS与输出漏极电流ID之间的关系，即功率MOSFET的放大能力。 通态电阻Ron 在确定的栅源电压VGS下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻Ron。 开启电压VGST 转移特性与横轴的交点称为开启电压VGST 跨导 跨导表示功率MOSFET的放大能力。 静态参数 动态特性与参数 开关特性的测试电路 功率MOSFET的开关过程 功率MOSFET的一些典型参数 安全工作区 安全工作区分为三种情况： 正向偏置安全工作区（FBSOA） 开关安全工作区（SSOA） 开关安全工作区表示器件在关断过程中的参数极限范围 转换安全工作区（CSOA） 用漏极正向电压UDS和二极管正向电流IF的安全运行极限值来表示 MOSFET与GTR的比较 栅极驱动与保护 MOSFET驱动电路 TTL驱动电路（一） TTL驱动电路（二） TTL驱动电路（三） CMOS驱动电路 光电耦合器驱动电路 脉冲变压器驱动电路 集成电路模块驱动电路 功率MOSFET的保护 过电压保护 过电压保护 过电流保护 防静电保护 1.功率MOSFET应放置在防静电的袋子或导电泡沫塑料内， 2.取用时应拿着管壳部分而不是引脚， 3.操作者需通过腕带良好接地， 4.工作台、测量仪器和烙铁也必须良好接地， 5.焊接时烙铁应断电。 小结 MOSFET的特性与参数 MOSFET的驱动与保护 MOSFET的应用 栅源间的过电压保护 漏源间的过电压保护 在栅源之间并接阻尼电阻或并接约20V的稳压管，特别要防止栅极开路工作。 如果电路中有电感性负载，应采取稳压管箝位、二极管-RC箝位或RC抑制电路等保护措施。 电流超过IDM极限值时，必须用电流传感器和控制电路使器件回路迅速断开。 使用中应根据导通电阻并结合器件的结-壳热阻来正确选用电流容量。 在脉冲应用中不仅要保证峰值电流IPK不超过最大额定值IDM，而且还要保证其有效值电流 也不超过，其中D为占空比。 作业 9，10 * 主要优点 具有自关断能力，驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽 图形符号 用途 Ｎ沟道 Ｐ沟道 适用于高压高速电源开关，马达驱动等。 一、结构与工作原理 二、特性与参数 1．静态特性与参数 2．动态特性与参数 3．安全工作区 4．与GTR的比较 三、栅极驱动与保护 1．功率MOSFET的驱动电路 2．功率MOSFET的保护 MOS结构： 由于输出电流是由栅极（G）通过金属（Metal）——氧化物（Oxide）——半导体（Semiconductor）系统进行控制的。 在MOSFET中只有一种载流子从源极（S）出发经漏极（D）流出。 （N沟道时是电子，P沟道时是空穴） １.静态特性 2.主要参数： 通态电阻、开启电压、跨导、漏极击穿电压、栅源击穿电压和最大漏极电流。 包括功率MOSFET的输出特性、饱和特性、转移特性 I I I I I I U GS5 GS4 U U GS3 GS2 U GS1 U DS I D（A） O （V） U 图2-18（c）转移特性曲线 当ID较大时，ID与VGS的关系近似为线性，亦即，此时跨导为常数。 开启电压 gm就是转移特性的斜率，单位是西门子（S） 定义为 gm=ΔID/ΔVGS 漏极击穿电压U（BR）DS ： 栅源击穿电压U（BR）GS： 最大漏极电流IDM： 最大允许使用的漏-源电压 指的是最大允许使用的栅-源电压，一般U（BR）GS=±20V。 最大允许使用的漏极电流 决定了功率MOSFET的最高工作电压，限制了器件的电压和功率处理能力。这是为避免器件进入雪崩区而设的极限参数。 最大漏极电流IDM表征功率MOSFET的电流容量。 功率MOSFET的开关特性 开关特性的测试电路 功率MOSFET的开关过程 up为矩形电压脉冲源 信号源波形 栅源电压波形 漏极电流波形 GTR的开通过程 （参看教材19页） 结论： 器件的输入电容越小，开关过程越快，器件所能达到的工作频率就越高。 从使用的角度，要改善MOSFET的开关特性，必须减小驱动电路的输出电阻。 驱动电路还必须提供栅极输入电容充放电功率。 正向偏置安全工作区 开关安全工作区 换向安全工作区 最大漏源电压极限线 最大漏极电流极限线 漏源通态电阻线 最大功耗限制线 最小漏极击穿电压BVDS 最大峰值电