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关于单电子传输现象最新研究进展和测试方法一 单电子传输现象及单电子器件的研究进展 单电子输运器件是基于单电子隧穿效应和电子库仑阻塞现象发展起来的，它可以从基本电荷层次上控制电子的运动，具有极其广泛的应用前景。所谓库仑阻塞现象是指如果一个电子进入了一个小的孤立区域，这个区域的静电势能就会升高；所以，如果一个量子点的充电能e2/2C比热运动的能量KBT 大（此处C 为量子点的电容，KB为玻尔兹曼常数，T为温度），那么电子就不能进入量子点，这就是库仑阻塞现象[1]。 为了实现单电子输运在量子计量和量子信息处理等方面的应用，必须提高单电子输运电流的大小、精度、工作温度和稳定性。为此，人们发展了不同种类的单电子输运器件，根据不同的制备材料可以分为，金属纳米结构，半导体纳米结构和碳纳米管结构三类[2]。 金属单电子器件具有固定的隧道结，通过隧穿和库仑阻塞效应实现单电子输运的。其分为金属单电子旋转门和金属单电子泵。金属单电子旋转门的工作原理：首先，在交变信号(加在门电极上)的前半周期，随着门电压Vg的增加，中间电子岛的势能降低，电子通过左边两个隧道结进入中间电子岛；在后半周期，随着Vg的减小，中间岛的势能增加，电子离开中间岛经过右边两个隧道结进入漏极，从而实现单电子的输运．其电流大小为，I=ef, e为电子电荷，f为加在门电极上的交变信号频率。第一次成功实现单电子输运的是L. J. Geerligs[3]等人，岛由Al构成，岛之间由Al2Ox隔开，虽然这第一次的单电子输运精确度达到了10-3，但几乎没有后续的报道。金属单电子泵有三个隧道结（Al2Ox）和两个岛构成，但现在NIST先后实现了5个和7[4]个隧道结的单电子泵，搬运电子的误差率从10-3分别减少到了10-6和10-8，人们完全可以对这些器件搬运的电子进行计数。虽然金属单电子器件产生的量子化电流能达到电流基准的计量精度，但电流值还不能满足计量要求，因此，人们需要发展其他单电子输运的方法。 对于半导体和碳纳米管单电子器件则具有可调的隧道结，可以通过直接调节量子点的两个势垒实现单电子搬运。半导体是使用最多的材料，如GaAs，InAs和Si基等，使用的技术有利用表面声波技术，肖基特分裂门技术，刻蚀技术和场效应技术等。半导体单电子旋转门搬运电子的精度不可能超过金属隧道结单电子泵，因而在1994年Y. Nagamune和L.p.Kouwenhoven[5]对器件的改进之后没有后续的报道。为了提高单电子输运器件的精度和电流，1996年卡文迪许实验室的pepper小组[6]用表面声波搬运单个电子，实现了300mK下千兆赫兹的工作频率，产生的量子化电流达到了nA量级，如果其误差率能达到10的话，那么这种表面声波单电子输运器件产生的量子化电流就有可能成为电流标准，故而各国科学家对原有的表面声波器件进行了改进，例如改变电子气平台和分裂门的形状，改变一维电子通道的几何尺寸，提高二维电子气的迁移率，改变叉指换能器的结构以及器件的制作工艺等。半导体电子泵与表面声波单电子器件一样，可以实现千兆赫兹的工作频率，即所得到的量子化电流达到了nA量级，而且其工作原理也不是利用库仑阻塞效应实现的。利用Si基为基础的单电子输运器件成为硅单电子输运器件，较之用GaAs/AlGaAs异质结，其具有更高的工作温度和更好的稳定性。NTT研究小组在硅基单电子器件的研制以及应用方面做了很多开创性的工作，使硅基单电子泵的工作频率达到了2.3GHz，实现了nA量级的量子化电流，但其量子化电流的平台精度还远远低于GaAs器件的精度。对于碳纳米管单电子器件的研究始于2001年V.I.Talyanskii[7]在PRL上发表的理论研究，从理论上证明了半金属性的碳纳米管与表面声波可以实现量子化的电荷输运。2005年开始，卡文迪许实验室开始进行碳纳米管系统在表面声波作用下产生的电荷抽运现象的实验研究，2008年M.R.Buitelaar[8]等再次对表面声波通过碳纳米管量子点系统产生的声电电流进行了测量，观测到了量子化的声电电流平台，但质量较其他半导体单电子输运器件要差，因此仍然需要进一步的研究工作。 综上所述，多隧道的金属单电子泵可以达到10-8精度，但其产生的电流只有pA量级，而表面声波单电子输运器件，半导体单电子泵和硅单电子器件虽可以将器件的工作频率提高到千兆赫兹，产生nA量级的电流值，但精度却远未达到10-7的要求，因此还需要科学家们进一步的努力！二 单电子传输现象的测试方法 由于隧道结的电流一般在nA甚至pA量级，这意味着需要高精度的电流表才能观察到其隧道电流．为了观察该结构的电流一电压特性，可以采用STM设备中的扫描隧道谱（STS）工作模式来进行测试。 参考文献 [1] 孙劲鹏王太宏单电子存储器[J]. 纳米器件与技术2002,