抑制ain微粉水化最佳热处理制度的研究 the best heat treatment system of inhibiting the hydration of aln powder.pdfVIP

·26· 陶瓷 抑制A1N微粉水化最佳热处理制度的研究 蔡 艳 王榕林 卜景龙 王志发 (河北理工大学材料学院(河北省无机非金属材料重点实验室)河北唐山063009) 摘 要 选用了3种不同粒径的刖N粉(tk分别为o．5肚n·、5}m-和15f一)，通过Tc分析和不同制度下的热处理以及测试 其悬浊液的pH值变化．探讨了AJN粉的表面氧化热处理温度和保温时间对AlN水化性能的影响。结果表明：TG分析温度 小于l(瑚℃时，A1N的氧化增重均小于0．8％；当热处理温度为900℃、保温lll时．AlN的抗水化性能最好。 关键词 氮化铝水化热处理 本实验以合肥摩科新材料有限公司生产的3种规 前言 格的AlN微粉为原料，其粒度d5u分别0．5pm、5”m和 m1分别配制成悬浊 氮化铝材料¨“t具有高的热导率，良好的电绝缘 分析；按AlN：去离子水=lg：200 性，低的热膨胀系数，耐热、耐腐蚀等特点，是一种具有 液，于20℃、40℃、60℃和累计时间均为200m；n及磁 广泛应用前景的陶瓷材料，引起了各国的关注。而且 力搅拌器连续搅拌的条件下，采用PHs一3C型数字酸 度计测试了表征其水化特性的pH变化。 与Al：O，、SiC、BeO等基片材料相比，AlN还具有良好的 AlN粉的氧化增重过程采用耐茨公司综合热分析 电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、与硅相匹配的热 ml／mim)和加 膨胀系数，并且化学性能稳定、无毒，因而是理想的半 仪，在近空气(N：：O：=80：20，流量为55 导体基片材料和大功率电子器件的封装材料怕“J。 热速率为10℃，min条件下，由室温加热至l500℃进 然而氮化铝粉末的表面极为活泼，易与空气中的 行了TG测试与分析；根据TG测试分析结果，选取粒 水蒸气发生水解反应，给它的生产和使用带来影响。 径居中的5“mAlN微粉原料，进行了温度为700℃、 近年来，氮化铝粉末表面改性的研究工作十分活跃，人 800℃、850℃、900℃、950℃、l000℃和保温时间为0． 5 h、2 们试图通过表面改性来提高它的抗水化性，其有效途 h、lh、1．5h的表面氧化热处理，并对其去离子水 径有：①借助疏水性和亲水性有机物等在AlN表面形 悬浊液的pH值变化进行了对比测试。 成涂层包裹；②氧化气氛下热处理AlN粉末，使其表面 生成Al，O，，阻止AlN水化反应‘7“1。 2 实验结果与分析 但文献中尚未给出阻止AlN水化的最佳热处理温 度和保温时间。为了拓宽A1N材料的应用范围和防止 2．1 AlN原料的相组成 制备AlN复合陶瓷材料过程中的水化问题，确定出抑 d，。分别为0．5弘m、5pm和15pm 制A1N水化的最佳热处理温度和保温时间，作进一步 结果，如图l所示。由图l可见，本实验所用d5IJ分别 深入的研究是十分必要的。 2．2 AlN原料的水化特性 l 实验 子水悬浊液的pH值与水解时间的关系。 ·基金项纠：闰家自然基金资助项门，(项|_1编呼 万方数据 0．1I