围线路径模型 - 硬件和射频工程师交流社区 .docVIP

第6讲 围线路径模型 在FDTD模拟实际结构时，常常遇到一些特殊的结构和形状，如导体曲面、介质交界面曲面、槽、细导线、介质薄层等。对于这些特殊的结构和形状，传统的Yee网格已不再适用。这时采用围线路径模型最为简单、方便。围线路径模型的基础是积分形式的Maxwell旋度方程。 6.1从Maxwell方程的积分形式推导FDTD方程 【引理一】设f(x)在[x0,x1]中为连续函数，a,b,c∈[x0,x1]，则 (6-1) 对于连续函数f(x)在c点进行Taylor展开， 式中，，。于是， 【推论1】如果取，则 (6-2) 同理，可以证明： 【引理二】设f(x,y)在[x1,x2]，[y1,y2]中为连续函数，xa，xb，xc∈ [x1,x2]，ya，yb，yc∈[y1,y2]，则 (6-3) 【推论2】如果取，，则 (6-4) 设媒质均匀，各向同性，则Maxwell方程的积分形式为 (6-5) (6-6) 图6-1 Yee网格中的链接正交围线 考虑图6-1所示的Yee网格，在矩形围线中包围了电场，其围线上分布磁场分量，在矩形围线中包围了磁场分量，其围线上分布电场分量分量。 将Maxwell-Ampere定律(6-5)用于围线所包围的面积, 可以得到 取围线和面积上中心处的场分量，应用推论1和推论2，同时时间导数采用中心差分近似，则可以得到二阶精度的FDTD方程： (6-7) 以相同的方式，将矩形围线用于Maxwell-Faraday定理 (6-6)，围线上场分布作类似的假设，可以得到 (6-8) (6-7)-(6-8)式与从Maxwell方程地微分形式采用时间和空间的中心差分得到的FDTD公式完全相同。 同理，可以得到其他场分量的二阶中心差分FDTD公式。 6.2理想导体曲面的共形模型 如右图所示导体曲面，对于电场分量采用标准的FDTD公式。对于分量，利用积分形式的Faraday定理可得 由于导体表面上，则 (6-9) 因为场分量不是取的围线和面积上的中心值，所以（6-9）是一阶精度的。 6.3介质交界面曲面 — 平均特性模型 考虑如图所示的介质交界面曲面及其网格，对于Hz1分量,由Faraday定理，得 所以，有 (6-10) 由于Ey在通过介质交界面的围线上不是连续函数，所以（6-10）也不是二阶精度。 对于右图所示的网格和场分量，由Ampere定理，得 故 (6-11) 可以看出，如果g=0.5，则网格中的媒质参数为两种媒质参数的平均值。 6.4 窄槽的围线路径模型 如图6-2所示为二维窄槽的电磁穿透问题。 图6-2 二维窄槽的电磁穿透问题 分三种路径处理： C1: (6-12) C2: (6-13) C3: (6-14) 图6-3(a)和(b)分别给出了利用上述方法计算的垂直入射时典型空气槽的场分布的振幅和相位，可以看出，与频域矩量法（MOM）的结果吻合良好。 图6-3开槽导体屏上电场分布 (a) 振幅 (b) 相位 6.5 细导线 如图6-4所示为细导线。 图6-4细导线围线路径模型 由于在细导线附近，法向电场和切向磁场沿法向(方向)以变化，假设 （6-15） （6-16） （6-17） 所以 于是，由Faraday定理有 (6-18) 图6-5给出了一典型细导线在TM波照射时的散射磁场振幅。 图6-5 TM波照射时细导线的散射磁场 6.6介质薄层 如图6-6介质薄层。 图6-6介质薄层 在介质薄层外，涉及的场量均在空气中，故 (6-19) 在介质薄层内，对于，Ampere定理的路径完全落在薄层中的平面上，路径上的磁场分量与(6-19)中相同。因为这些磁场与薄层是切向的，所以，在和间的边界上是连续的。所以 (6-20) 下面考虑在处的和，这些分量与薄层相切且位于薄层表面的之内。使用Ampere定理的围线垂直穿透薄层，因此使用平均特性模型，不过，这里不仅有，还有，故 (6-21) (6-22) 式中，， 下面考虑在处分量的时间步进关系式，这些分量垂直与薄层并且位于薄层表面内，Faraday 定理围线路径环成，位于平面，完全处于自由空间，所以，的表