钨青铜的报告(终稿).pptVIP

5.钨青铜结构偏铌酸铅高温陶瓷的制备工艺涉及高温压电陶瓷, 包括采用纳米原料、压块与粉末复合以及高低温相结合的粉料合成工艺、改进球磨条件和多次混合现细磨、严格控制烧结温度、缩短保温时间以及适当的快冷速度、冷加工精度与增大极化功率等。采用本技术可使陶瓷粉料的制备量提高到10kg, 并提高了陶瓷元件的体密度、绝缘电阻、压电性能及一致性等, 同时也提高了产品的成品率, 且技术简便、易于掌握。 钨青铜结构材料的应用前景 6.钨青铜(TB)型晶体材料具有优良的性能和巨大的开发潜力，这是与其结构紧密联系的。分子设计是TB型晶体材料结构与性能之间连接的桥梁。TB 型晶体材料的应用研究进展较快。 SBN、PBN 等经典的TB型晶体材料，其陶瓷材料和薄膜材料的制备、性能研究活跃；同国外相比。国内B位置采用w 元素的TB型晶体材料研究较少。磷酸盐的TB结构薄膜 由于具有良好的超导应用前景．已经引起极大的重视，但国内此方面的研究显得薄弱。 钨青铜结构材料的应用前景 * 报告人：xxx 各部分负责人： 综述 ：王学亮 结构 ：田 野 性能 ：吴凌峰 发展前景 ：王新智 主要内容 钨青铜型材料的发展简介 钨青铜型材料的不同结构 钨青铜型材料的性能特点 钨青铜型材料的应用前景 钨青铜的发展简介 1.钨青铜的简单介绍 2.钨青铜的发展概况 3.钨青铜的制备方法 钨青铜的简介 钨青铜是指化学式为MxWO3 ( M 为碱金属离子) 的系列化合物, 由于X 值可在一定范围内变动, 组分元素之间无确定的化学计量比值, 故称为非化学计量化合物。 其通式MxWO3（0x1）中M可以是钙、锶、钡, 稀土金属, 铜、银、铵、氢等, 也可以用铌、钽、钛等金属取代其中的钨而生成其它青铜,这类化合物具有特殊的物理化学性质。 钨青铜的发展概况 1949年，A.Magne li合成了WO6八面体单元共顶点结构的钨酸盐KxWO3(0x1)，发现其具有青铜般的色泽和光亮性，故将类似的这种结构的化合物称为钨青铜型材料。这种钨青铜型材料在铁电、压电、热释电、非线性光学等方面具有独特而优异的性能，从而逐渐得到广泛的关注，目前在电子材料研究领域里已经成为仅次于钙钛矿型材料的第二大类电子材料。 1993年前后，光折变非线性光学作为一门崭新的光学分支迅速发展，钨青铜家族的系列晶体（如SBN，KNSBN）在材料的制备和器件设计方面都取得了很大的进展，一个重要的原因就是它的敞开式结构便于参杂改性。其中铌酸锶钙钠晶体具有高的电光系数、高的光学优值、高Curie点、生长周期短等许多特点, 被认为是一种有潜在应用价值的新型光折变材料。 钨青铜的发展概况 2003年左右，钨青铜(TB)型晶体材料由于具有良好的光学效应、电学性能以及变晶相界等独特性质，广泛应用于激光倍频、电光调制、光学信息处理、超导、湿度传感器、固体燃料电池等技术领域。 Koichi Tatsumi等人在2006年合成了M为Sn、Pb、Cu、Sb和Zn等金属元素的钨青铜，钨青铜中W 以W6 +、W5+和W4 +等混合价态存在, 从而使化合物整体电荷平衡。隧道结构和这种特殊的价态使其具有优异的性能, 如电子和离子导电性、超导性、光学性能等, 其在二次电池、电制变色和化学传感器等方面的应用引起广泛的研究兴趣。 钨青铜制备方法 钨青铜的制备方法主要包括湿化学法、热还原法和电化学法。随着材料制备方法的丰富, 出现了一些新的制备方法, 如离子交换法、机械物理法等。在不断发展和完善的制备方法中, 低温合成技术倍受青睐，低温制备出来的材料其缺陷密度等细微结构的不同使材料具有优异的性能。 钨青铜性材料的结构 钨青铜实质上是金属原子插入WO3晶格之后而形成的固溶体。当所有的空位皆被充满后，得到的化合物便是 MWO3。钨青铜的形成与钨的可变原子价有关，如果只是部分空位被碱金属的原子所置换，则一部分钨原子将由六价变为五价。 以立方晶胞为例，W离子占据顶点位置，O离子占据棱心，M离子则占据体心位置。 钨青铜性材料的结构 (a)立方结构 (b)四方结构 (c)六方结构 几种不同类型钨青铜的结构如图所示. 可以看出, 立方结构的钨青铜只包含正方形隧道, 而四方结构的钨青铜不但包含四边形, 还包含三角形和五边形的隧道, 六方结构的钨青铜不但包含六边形隧道, 还包含了三角形的隧道。在这里, 没有给出共生结构, 因为共生结构是四方结构和六方结构的组合形式, 具体的组合情况又因化合物而异.（隧道即间隙）