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奈米材料應用奈米碳管場發射平面顯示器 系統工程暨造船研究所 陳致仁 outline Ⅰ．Introduction Ⅱ．顯示器之種類介紹 Ⅲ．場發射顯示器[Field Emission Display, FED]簡介 Ⅳ．奈米碳管簡介 Ⅴ．奈米碳管(NanoTube Carbon, NTC) FED簡介 Ⅵ．Reference 隨著數位時代來臨及網際網路化的普及，平面顯示器應用領域從可攜式中小型產品邁向資訊用的大型面板，更擴展到超大型視訊應用。 奈米科技五大明星產業 顯示器之種類介紹 (1) 陰極射線管或布朗管[Cathode Ray Tube, CRT] (2) 液晶平面顯示器[Liquid Crystal Display, LCD] (3) 電致發光顯示器[Electro-Luminescence, EL] (4) 電漿顯示面板[Plasma Display Panel, PDP] (5) 真空螢光顯示器[Vacuum Fluorescence Display, VCD] (6) 場發射顯示器[Field Emission Display, FED] (7) 電氣泳動顯示器[Electro-Phoretic Display, EPD] (8) 電氣著色顯示器[Electro-Chromic Display,ECD] 場發射顯示器[Field Emission Display, FED] 場發射電極理論最早是在1928年由R. H. Fowler與L. W. Nordheim共同提出。 在1968年由C. A. Spindt提出運用場發射電子做為顯示器。 場發射顯示器的原理類似傳統陰極射線管。 場發射顯示器則由數十萬個主動冷發射子所構成，每一像素有固定獨立的電子發射子，毋須使用偏向板。  場發射顯示器種類 FED技術依其陽極電壓，而區分為低電壓型與高電壓型兩種： Ⅰ(低電壓型)FED ：螢光體激發用之陽極電壓為1kV以下(200~1000v)。 Ⅱ(高電壓型)FED ：因使用傳統CRT用之螢光體，而激發用之陽極電壓將達5~10kV。 Ⅲ新型奈米碳管(NanoTube Carbon, NTC) FED 奈米碳管簡介 碳是元素週期表IV族中最輕的元素，共有四個電子可供與其他元素進行鍵結 碳元素的同素異形體基本上可分為三種不同的型態：（1）石墨；（2）鑽石；（3）C60 奈米碳管是一具有奈米級直徑與長寬高比的石墨管。 單層（Single-Wall）碳管 多層（Multi-Wall）碳管 碳管的特性決定於石墨層的寬度與捲曲的方向，不同的捲曲方向可以表現出碳管金屬、半金屬、半導體等特性，依碳管捲曲方向的不同，可將奈米碳管的形態區分為三類，如下圖所示 新型奈米碳管(NanoTube Carbon, NTC) FED簡介 法國Lyon，Claude Bernard大學的一組物理學家對單根多層碳奈米管(MWNT)進行場發射效應試驗，發現碳奈米管的電阻值遵循歐姆定律。 法國研究人員對奈米碳管加以電流，當電壓夠高時，觀察到奈米碳管尖端的電子流會奔向一個電極，產生場發射效應。 1995年 Richard Smalley對開口式奈米管(open nanotube) 施以-100 到 -110 V的偏壓，產生0.5 到 1.5 mA的場發射電流，觀察到在奈米管尖端發出的非常微弱的白熾光。 1995年 De Heer，André Chatelain 以及Daniel Urgate首先提出以奈米碳管做為場發射器的構想。 奈米碳管場發射顯示器的原理，跟傳統的陰極射線管比較接近。 簡單地說就是利用無數的奈米碳管尖端放電，來取代傳統陰極射線管中的電子槍，它不僅保留了傳統陰極射線管電視優秀的影像品質，而且能源消耗低，整個螢幕的厚度可以從陰極射線管的50公分壓縮到1公分，重量也大幅減輕。 單層奈米碳管(SWCNT)製作射極的新方法 僅需以4V的驅動電壓就能釋放出電子。 在以尖端直徑約20-30nm的圓錐狀矽晶片作為射極所用傳統場發射元件的製程上，再加上在矽晶片尖端以熱CVD（化學氣相成長）法成長SWCNT的製程而成。 使圓錐狀矽晶片的尖端成長SWCNT的射極（左）和將之並列如右的電子顯微鏡照片。 微型場發射元件製造技術 以奈米碳管作為場發射子，具有相當低的驅動電壓，可作為場發射顯示器的元件。 Milne等科學家發展出以單一光罩與自對準技術製造出場發射微陰極的技術，這項技術並能保證奈米碳管與閘極針孔中心能夠共線。 每一微穴中約有十餘隻奈米碳管，其直徑約10-50 奈米，長度0.4 微米。 利用半導體製程成功製作三極場發射元件，可利用閘極控制場發射電流密度。 conclusion