精细陶瓷工艺学(齐龙浩)第一章、常用陶瓷原料及特性.pptVIP

精细陶瓷工艺学(齐龙浩)第一章、常用陶瓷原料及特性.ppt

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α- Si3N4在1400~1600℃转化成β- Si3N4 , α - Si3N4显微硬度为32.65~ 24.5GPa, β - Si3N4显微硬度为16~10GPa ii) Si3N4粉的制备 一般采用 硅粉直接氮化 碳热还原法; a)硅粉直接氮化法 将有一定细度的硅粉,置于氮化炉中,通氮气 加热到一定温度,即可得到Si3N4粉; 精细陶瓷用氮化硅粉体性能要求: α-Si3N4含量 >92% 含氧量 <2% 游离硅含量 <1% 平均粒度 ~0.5μm Si粉氮化应从600℃开始,于1100℃左右剧烈反应,反应为放热,因此氮化初期应避免温度突然上升。 得到的Si3N4粉主要为α相及少量β相,如温度过高,则β相含量增加。 b)碳热还原法 以细而纯的SiO2作为原料,以C作为还原剂,同时通N2进行氮化, 其反应式为; 这种方法,反应温度较高、反应时间短,便于连续化生产,但α相含量不高、残留碳等问题。 粉末原料的合成对Si3N4陶瓷最终性能是至关重要的。 一般要求Si3N4原料要纯、细并不能有团聚现象,而且应具备有高的α相含量。 研究结果表明: 高α相含量的粉末制得的Si3N4陶瓷,力学性能较好, 其原因在于,α相多的原料最终获得的产物含有针状Si3N4晶体, β相多的原料最终获得的产物中含有粒状的Si3N4晶体 氮化硅系列陶瓷具有优异的综合性能 (2)氮化硼(BN) 高硬度、良好的加工性 与石墨结构相同,称白石墨,良好的固体润滑性 具有高导热系数,良好的电绝缘性, 良好的化学稳定性 i)BN的晶体结构 ? 有两种晶体结构,六方、立方 立方BN晶体结构与金刚石相同 高温高压? h-BN c-BN ii)BN粉末的制备 a)硼酸法 原料:B2O3·H2O(硼酸) or Na2B4O7(硼砂)? B2O3 + 2NH3 → 2BN + 3H2O b)硼直接氮化 ? 2B + N2 → 2BN ? 1000℃以下,反应慢,1500℃以上反应速度较快 c)碳热还原法 ? B2O3 + 3C + N2 2BN + 3CO ? d)卤化法 又称气相合成法 ? 采用硼的卤化物与氨反应。 连续铸钢用BN分离环 非晶钢带喷头 (3)氮化铝 热性能优良,高导热 对熔融金属有良好的化学稳定性 制备Sialon等陶瓷的必需原料 i)AlN的结构与性能 ? AlN 六方晶型,纤锌矿型晶体结构,白或灰色 AlN 2450℃升华分解 >800℃抗氧化能力差,易吸潮,水解 ii)AlN粉末的制备 a)铝与氮(氨)直接反应 ? 2Al + N2 → 2AlN ? 反应在580~600℃,放热反应,Al熔点660℃ b)碳热还原法(赛尔皮克法) ? Al2O3 + 3C + N2 → 2AlN + 3CO ? 原料便宜,方法简单,工业和实验室常用 c)铝的卤化物(AlCl3,AlBr3等)和氨的反应 ? AlCl3 + NH3 → AlN + 3HCl ? d)铝粉和有机氮化合物反应 6.电子陶瓷原料 大部分电子陶瓷原料是多组分的; BaTiO3、CaTiO3、PbTiO3、 CaZrO3、Pb(Zr、Ti)O3及BaO·Al2O3·2SiO2等 这些原料天然不存在,需人工合成 常见电子陶瓷原料的合成 a)钛酸钡(BaTiO3) ? 合成BaTiO3常见的方法是: BaCO3 + TiO2 → BaTiO3 ? 研究结果表明: a)反应先在BaCO3-TiO2颗粒的界面生成BaTiO3 b)BaTiO3进一步扩散到BaCO3颗粒的内部,与BaCO3生成2BaO·TiO2,直到BaCO3用光。 c)TiO2与2BaO·TiO2反应生成BaTiO3 反应在1200℃,几小时就能完成。 一般1250℃,1~2小时 ? 温度过低反应不完全,残留2BaO·TiO2,不利 温度过高,粉料易结块,活性降低 合成气氛为氧化气氛,防止TiO2的还原 制得粉料活性高(分解温度低800℃),颗粒细 其它电子陶瓷原料制备方法相同 shangk * xiak * 颗粒尺寸的变化,使粉料的比表面发生变化。细 界面能增加 由于t-ZrO2的比表面能小于m-ZrO2的比表面能, 所以当颗粒尺寸减小,t-ZrO2→m-ZrO2相变温度Ms也降低。 亚稳态C-ZrO2——全稳定化ZrO2(Fully Stabi

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