氧化锌靶材.ppt

掺铝氧化锌陶瓷靶材的制备及其薄膜的光学性能 以 Al(NO3)3·9H2O 和 ZnO 粉体为原料，采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的 ZnO:Al (AZO)陶瓷靶材。研究了烧结温度对 AZO 靶材微观结构、相对密度和电性能的影响。当 Al 和 Zn 的摩尔比为 3:100，烧结温度为 1 400 ℃时，所制 AZO 靶材的致密度达 96%，电阻率为 2.5×10–2Ω·cm。以烧结温度为 1400℃的 AZO 陶瓷靶为靶材并通过直流磁控溅射在玻璃基片上制备出了高度 c 轴择优取向的 AZO 薄膜，其可见光透过率为 90%，禁带宽度为 3.63 eV，电阻率为 1.7×10–3Ω·cm。 引言 透明导电氧化物(TCO)薄膜本身具有高的载流子浓度(约 1020/cm3)，是电的良导体；在不同的电磁波频率范围内具有光选择性，能在吸收紫外光的同时使可见光穿透。由于具有这些优异而独特的光电特性，以铟锡氧化物(ITO)为代表的 TCO 薄膜得以广泛应用于电子、电气、信息和光学等各个领域。但是，由于 ITO 薄膜的主要成分铟为稀有金属，人们力图寻找一种储量丰富、价格低廉且性能优异的 ITO替换材料。Al 掺杂 ZnO(AZO)由于成本低廉，同时表现出了优异的光学、电学性能和稳定性，近年来受到广泛关注。 国内外 AZO 薄膜的制备方法主要有：磁控溅射法、化学气相沉积(CVD)法、溶胶凝胶法(sol-gel)、脉冲激光沉积法(PLD)、电子束蒸发法(EBRE)等，其中研究和应用最广泛的是磁控溅射技术。磁控溅射法制备的 AZO 薄膜具有重复性好、工艺稳定、膜层均匀且易控制等优点。 高致密度、高导电性的 AZO 陶瓷靶能显著提高溅射的稳定性，目前，AZO 陶瓷靶的制备一般采用热等静压（HIP）法，以 Al2O3粉末为掺杂原料。但这明显存在球磨时间长、烧结工艺复杂和成本太高的不足。 为了提高 Al 掺杂的均匀性，简化烧结工艺并降低 烧 结 成 本 ， 笔 者 采 用 溶 于 无水 乙 醇 的Al(NO3)3·9H2O 和 ZnO 粉体为原料，通过常压烧结方法制备出了 AZO 陶瓷靶材，研究了烧结温度对AZO 陶瓷靶材性能的影响，最后采用所制备的靶材在玻璃衬底上通过直流磁控溅射制备了 AZO 透明导电薄膜，分析了薄膜的光学性质。 实验 以纯度为 99%的 ZnO 粉体和 Al(NO3)3·9H2O为原料，按 Al 和 Zn 摩尔比为 3:100 称取原料，加入无水乙醇在行星式球磨机中连续球磨 2 h。待球磨浆料烘干后压成圆形靶坯，在 600 ℃下预烧结 2 h。粉碎靶坯，加入适量粘合剂，在 30 MPa 的压强下压制成直径约为 16 mm的坯块，以 5 ℃/min 的速度升温，最后在 1 000~1 500 ℃，每隔 100 ℃分别常压烧结 2 h。 采用 1 400 ℃烧结的靶材，通过磁控溅射法在玻璃基片上溅射 AZO 薄膜。靶与衬底间的距离为 7.5cm，纯 Ar 气氛，系统基底真空度为 3×10–3Pa，溅射气压为 4 Pa，衬底温度为 300 ℃，溅射电流为 200mA，溅射时间为 30 min。用四探针法测量靶材的电阻率，用阿基米德排水法测量靶材的密度ρ，由ρ/ρZnO表征靶材的致密度(ρZnO= 5.606 g/cm3)。按下式计算靶材烧结的线收缩率： S0= (L – L0)/L0× 100% （1）式中：S0为正值表示膨胀率，负值表示收缩率；L0为坯体直径；L 为靶材直径。 结果与分析 烧结温度对靶材致密度的影响 Al和Zn的摩尔比为3:100的AZO靶材在不同温度下烧结2h后的线收缩率、相对密度和表面状态。当烧结温度为 1 000 ℃时，AZO 靶材的线收缩率很小，只有–3.44%，相对密度为 79%；烧结温度升高，线收缩率和相对密度随之增大。在 1 200~1 300 ℃之间，靶材致密度明显提高。当烧结温度大于 1 400 ℃时靶材收缩明显，1 500 ℃时线收缩率达–14.47%，相对密度为 99%。从 AZO靶材的外观状态可以看出，当烧结温度为 1 300 ℃时，靶材的表面开始出现少许白色粉末，温度升高，白色粉末增多；1 500 ℃时，靶材表面覆盖一层白色粉末。白色粉末为锌铝尖晶石(ZnAl2O4)，因 ZnAl2O4不挥发，反应生成后，便覆盖在 AZO 靶材表面以溶于无水乙醇的 Al(NO3)3·9H2O 为原料，使得Al2O3的粒径降低，其比表面积增加，表面能增大，从而提高了 Al2O3与 ZnO 的反应活性。随着烧结温度的升高，靶材颜色也有所变化。1 400 ℃时，靶材为浅的墨绿色，1 500 ℃时为墨绿色，这与 Liu 等报道的高密度靶材一致。 靶材的微结构分析 Al 和 Zn 的摩尔比为 3