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机密等级 机密 中恒（唐山）曹妃甸科技有限公司Controlled Document（受控） Confidential level Confidential Document Title(文件名称) :  去磷硅工艺文件Document Number(文件编号): ZH(C)-GY-03-BZ01 Revision(文件版本): A0 Revise Date(修订日期): 5/19/2010 Prepared by(撰写者): 那雪梅Create by which Unit(制定单位) : 工艺部 Rev.:A0 目录 1.目的 4 2.适用范围 4 3.职责 4 4. 去磷硅工艺 4 4.1工艺目的 4 4.2 工艺原理 4 4.3 工艺参数 4 5. 工艺过程控制 5 5.1 职责 5 5.2 控制项及指标： 5 6. 异常处理 6 6.1 原因 6 6.2 处理流程 6 7. 操作流程 6 8. 去磷硅作业规范 7 8.1插片 7 8.2配液 8 8.3上料 8 8.4过程监控 8 8.5下料 9 9．注意事项 9 Amendment Records Item: Date: Revision: Page: Change Description: Changed by: 1 5/19/2010 A0 All New release 那雪梅 Rev.:A0  1.目的 工艺处于受控和稳定的状态。 2.适用范围 工序的工艺控制3.职责 工艺，更新和修订由工艺主管工艺部。工艺部4. 去磷硅工艺 4.1工艺目的 4.2 工艺原理 其反应方程式如下： 4.3 工艺参数 4.3.1 4.3.2 本工艺方案适用于125mm单晶电池片生产； 4.3.3 时间工艺参数 HF清洗 快排清洗(QDR) 慢提拉(OF) 烘干(DRY) 烘干温度(℃) 120～150 20～40 1～20 300～360 70～110 4.3.4 工艺参考配方 步名称 步时间(s) 温度(℃) 备注 1 HF清洗 140 2 QDR 20 3 OF 1 室温　 硅片表面 无粘水现象 4 DRY 300 100 5. 工艺过程控制 5.1 职责 5.2 控制项及指标： 5.2.1 流程recipe，保证其参数设置符合4.3.3中的规定。如不符合，必须立即通知当班工段长停止该管的生产任务，同时报告当班质检组长、工艺员。事件处理完毕，由质检员给出处理报告，当班工艺员、工段长签字后，方可重新投片生产。 5.2.1.2规范穿着净化服，戴手套和口罩，保持片盒、夹具和小花篮的清洁，禁止不带手套接触硅片，避免硅片受到污染； 5.2.2 工艺控制目标 分项 目标值 检测仪器 检测方法 备注 四槽温度 100℃ 目测 目测显示器上温度显示值在100℃附近 硅片粘水情况 无粘水 目测 目测OF槽硅片出水呈光亮状态 齿痕印 无齿痕印 目测 看四个卡齿处齿痕印是否严重 5.2.3反应及处理流程 当班质检员通过检测发现工艺控制目标未达标，应立即通知生产车间的工序长停止该设备的生产任务，同时报告当班质检组长、工艺员。 由当班工艺员判断事件的严重性，必要时负责召集当班设备工程师、质检员、操作相关人员进行问题跟踪、设备排查、工艺试验；由当班工艺员给出事件处理意见及汇总报告。 事件处理完毕，必须经当班设备工程师、工艺员、质检员、工段长四方认可并会签后，才能复产。大的工艺事故必须经设备部、工艺部、质检部、生产部的等离子刻蚀负责人会签认可后才能复产。 6. 异常处理 7. 操作流程 8. 去磷硅作业规范 插花篮：插花篮前保证硅片已冷却好，保证吸笔洁净。将等刻传来的盒盖打开，然后将片盒竖放，靠在小花篮上，用食指轻轻堵住吸笔的吸气孔。吸笔头平行于片子并轻放到片子的上部位将片子吸起插入花篮中，插花篮时从左向右插，插时先看上外侧孔，再看内上侧孔，再看内下侧孔松开食指将硅片竖直的放下。插完一篮后检查两硅片是否插在同一齿中，将花篮转180°检查是否有插错的地方，及时更改。 （注意，若双扩将片子干净的一面朝向U型口，若单扩扩散面较脏时作为