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第 3 章　门电路 3.1 概 述 一、门电路的作用和常用类型 二、高电平和低电平的含义 3.2.3　三极管的开关特性 一、三极管的开关作用及其条件 3.4　TTL 集成逻辑门 一、TTL 与非门的基本组成与外特性 3.4　CMOS 集成逻辑门 一、CMOS 反相器 三、CMOS 数字集成电路应用要点 3.5 集成逻辑门电路的应用 一、CMOS 门电路比之 TTL 的主要特点 二、集成逻辑门电路的选用 三、集成逻辑门电路应用举例 本章小结 2. CMOS 或非门 A B VDD VPB VPA VNA VNB Y 或非门结构特点： 驱动管相并联， 负载管相串联。 Y A B uO uI VDD1 漏极开路的CMOS与非门电路 (二)漏极开路的 CMOS 门 简称 OD 门 与 OC 门相似，常用作驱动器、电平转换器和实现线与等。 Y = AB 构成与门 构成输出端开路的非门 需外接上拉电阻 RD C、C 为互补控制信号 由一对参数对称一致的增强型 NMOS 管和 PMOS 管并联构成。 PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN (三)CMOS 传输门 工作原理 MOS 管的漏极和源极结构对称，可互换使用，因此 CMOS 传输门的输出端和输入端也可互换。 uO uI uI uO 当 C = 0V，uI = 0 ~ VDD 时，VN、 VP 均截止，输出与输入之间呈现高 电阻，相当于开关断开。 uI 不能传输到输出端，称传输门关闭。 C C 当 C = VDD，uI = 0 ~ VDD 时，VN、 VP 中至少有一管导通，输出与输入 之间呈现低电阻，相当于开关闭合。 uO = uI，称传输门开通。 C = 1，C = 0 时，传输门开通，uO = uI； C = 0，C = 1 时，传输门关闭，信号不能传输。 PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN 传输门是一个理想的双向开关， 可传输模拟信号，也可传输数字信号。 TG uI/uO uO/uI C C 传输门逻辑符号 TG 即 Transmission Gate 的缩写 (三)CMOS 传输门 在反相器基础上串接了 PMOS 管 VP2 和 NMOS 管 VN2，它们的栅极分别受 EN 和 EN 控制。 (四)CMOS 三态输出门 A EN VDD Y VP2 VP1 VN1 VN2 低电平使能的 CMOS 三态输出门 工作原理 0 0 1 导通 导通 Y=A 1 1 0 截止 截止 Z EN = 1 时，VP2、VN2 均截止，输出端 Y 呈现高阻态。 因此构成使能端低电平有效的三态门。 EN = 0 时，VP2 和 VN2 导通，呈现低电阻，不影 响 CMOS 反相器工作。 Y = A EN (一)CMOS 数字集成电路系列 CMOS4000 系列 功耗极低、抗干扰能力强； 电源电压范围宽 VDD = 3 ~ 15 V； 工作频率低，fmax = 5 MHz； 驱动能力差。 高速CMOS 系列(又称 HCMOS 系列) 功耗极低、抗干扰能力强；电源电压范围 VDD = 2 ~ 6 V； 工作频率高，fmax = 50 MHz； 驱动能力强。 提高速度措施：减小 MOS 管的极间电容。 由于CMOS电路 UTH ? VDD / 2，噪声容限UNL ? UNH ? VDD / 2，因此抗干扰能力很强。电源电压越高，抗干扰能力越强。 民品 军品 VDD = 2 ~ 6 V T 表示与 TTL 兼容 VDD = 4.5 ~ 5.5 V CC54HC / 74HC 系列 CC54HC / 74HC 系列 T T 按电源电压不同分为 按工作温度不同分为 CC74 系列 CC54 系列 高速 CMOS 系列 1. 注意不同系列 CMOS 电路允许的电源电压范围不同， 一般多用 + 5 V。电源电压越高，抗干扰能力也越强。 (二)CMOS 集成逻辑门使用要点 2. 闲置输入端的处理 不允许悬空。 可与使用输入端并联使用。但这样会增大输入电容， 使速度下降，因此工作频率高时不宜这样用。 与门和与非门的闲置输入端可接正电源或高电平； 或门和或非门的闲置输入端可接地或低电平。 主要要求： 了解 TTL 和 CMOS 电路的主要差异。 了解集成门电路的选用和应