SU-8光刻胶加工工艺及应力梯度研究.docVIP

SU-8光刻胶加工工艺及应力梯度研究 韦剑 何万益 陆颖颖 南京邮电大学通达学院 X 关注成功！ 加关注后您将方便地在 我的关注中得到本文献的被引频次变化的通知！ 新浪微博 腾讯微博 人人网 开心网 豆瓣网 网易微博 摘????要： 文章采用牺牲层刻蚀技术加工SU-8胶MEMS微结构, BP212正性光刻胶作为牺牲层, SU-8胶作为结构层。制造出的SU-8胶微结构完整, 表面无裂纹, 牺牲层释放干净。通过测量释放后的SU-8胶悬臂梁曲率半径, 计算其应力梯度, 研究了后烘温度对SU-8胶薄膜应力梯度的影响。 关键词： SU-8胶; 牺牲层刻蚀; 应力梯度; 后烘温度; 作者简介：韦剑 (1987-) , 男, 江苏扬州人, 助教, 主要从事MEMS材料的理论和工艺研究。 Abstract： This paper uses the sacrifice layer technology for processing SU-8 MEMS microstructure, BP212 positive photoresist as a sacri-ficial layer and SU-8 photoresist as structure layer. The obtained SU-8 microstructure has a complete surface