光学薄膜制备用无栅等离子体源研究.pdfVIP

光学薄膜制备用无栅等离子体源 GRITLESSPLASMA SOURCE FOROPTICALCOATING 尤大伟 李晓谦 王 宇 中科院空间科学与应用研究中心 10080 摘 要 本文介绍一种新型无栅等离子体x;辅助成膜技术。该技术的核心部分无栅等离子体源 (GIS)可在 Dim的范围内形成均匀的等离子体，离子流密度高达0.5mA/cm，而所需阳极电流仅 为40A、阳极功率3kW,D,IM的范围内离子流的均匀性为士15%.离子能量为50eV--150eV。由 于GsI 源的阴极抗氧化，使用寿命长，非常适合应用于光学放膜。 关谧词 等离子体源 离子辅助成膜 光学薄膜 一 引言 。 现在无论是民用光学产品还是诸如激光、光纤通信及航天遥感等高技术领域都迫切需要 高质量的光学薄膜。而用传统手段制备的光学薄膜，由于蒸发粒子能量较低(约。.IeV-0.3 eV)，沉积膜成柱状结构，从而影响了薄膜的质量，使其光学特性难以稳定，而且膜与基体的结 合力也较差[[,1。从近二十年来光学薄膜的发展看提高成膜粒子的能量是改善光学薄膜质量的 有效办法，为此形成了诸如离子束辅助成膜技术，低压离子镀技术，等离子辅助成膜技术。尽管 卜述技术的运用可在一定程度上改善膜的质量，但是由于通常离子源的栅极面积较少，因此处 理面积有限，且在光学镀膜中通常需要充02，故严重地影响了阴极的使用寿命。而低压离子镀 又存在镀膜工艺不稳定的间题。而无栅等离子体源有效地解决了上述技术存在的问题，为大规 模、工业化生产高质T的光学薄膜提供了一种新的有效手段。目前国外也有类似技术及在光学 薄膜方面的应用研究z〔-nJ，目前该项技术的研究在国内尚属空白。GIS源由于在磁场设计及阴 极结构方面采用 了特殊设计，使得等离子体拔出效率及阴极加热效率明显提高。本文将重点介 绍GIS源的原理、结构及其在光学镀膜中的初步应用 二 GIS源的原理与结构 如图1所示GIS源由阳极、LaB,,阴极、石墨加热器、磁 场线圈、极靴及进气系统组成.LaB。阴极在石墨加热器的 间接加热下至1500C以上(在此温度以LLaB,杭氧化)， 此时LaB:阴极发射 电子，在阳极和阴极之间加入直流电 压，产生辉光放电，形成等离子体。放电室内的磁场延长 了一次电子到达阳极的距离.使放电效率提高 等离子体 中的电子在磁场的作用下沿磁力线方向被引向基片架。 由于电子的高迁移率，等离子体相对基片架为正偏压，因 此离子的能量主要取决于放电电压及阴极相对地的偏压 图1 GIS惊结构示意图 一 R8 一 和基片上的鞘层压降。GIs源采用异形磁场设计，提高了源的放电效率及等离子体的拔出能 力。阴极采用间接冷却方式，这样在确保阴极长期工作的同时，使GIs源阴极加热效率大为提 高,GIs源在正常工作时，阴极加热功率仅为1kW.GIS源既可以在源工作气体(Ar)下工作， 又可以在源工作气体和反应气体同时导入下工作(反应气体不通过源而直接导入真空室内)。 反应气体在等离子体中被离化并被激活，离子通过基片上的鞘层被加速碰撞正在生长的薄膜， 从而使膜致密并形成一定化学比的薄膜。 三 GIS源的性能 铂 印 GIs源可在直径1M的范围内形成均匀的等离子 ( 印 ︶ y 体，离子流密度大于。.5mA/cma,阳极电流70A，阳极 鹅 钓 留 匀 璐 功率7kW,图2为阳极电流与阳极电压之间的关系曲 线，曲线显示随着阳极电压的升高，阳极电流随之升 盈 匆 0 1