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2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
关于多晶硅中的碳
张惠国
(新光硅业科技有限责任公司 四川乐山市614000)
对于半导体硅来讲，碳是有害的杂质，严重影响半导体的电学性能。所以如何减少
多晶硅中碳的含量是多晶硅生产工艺一个主要课题。下面就硅中的碳的来源以及强化措施
谈谈自己的看法。
在多晶硅生产工艺中，碳的重要来源是液氯中的碳，在HCL的合成过程中，HCL中碳的
主要化合物见表1：
表l 氯化氢中含碳化合物及浓度
化合物
浓度(％)
名称 分子式
氯甲烷 clbCl 2×1矿
氯乙烷 娜1 3×10-s
氯乙烯 锄l 1X104
二氯甲烷 cIl2C12 1×10P
三氯甲烷 aICl3 3×10-3
二氯乙烯 Cm‘c12 1×10-s
特别应该指出氯甲烷CH。Cl是合成SiHCls时碳的主要来源，这是因为SiHCl。在合成时，
氯甲烷与si作用形成一系例甲基氯硅烷(见表2)。
以氯硅烷为主体的系统中，大多数杂质(金属)的分离系数都很大。所以用精馏方法来
分离并不会太困难。但对于与氯硅烷沸点相近的含碳的硅化合物，如甲基二氯硅烷，二氯
甲烷。则需要强化精流才能达到半导体级的要求。
表2 甲基氯硅烷
化合物
名称 分子式 沸点 分离系数口
二氯甲烷 cIj∞12 40．1 1．29
氯乙烯 哪! 12．27 1．98～2．3
甲基二氯硅烷 ClbSiHCl 41--,41．2 1．16
甲基三氯硅烷 cl|bsiCls 63．8～66．1 3．11
35．7～36．O
二甲基氯硅烷 (C凰)2siHCl 1．14
70．1一,70．3 3．39
二甲基二氯硅烷 (cIl3)2SiClz
2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
三甲基氯硅烷 (臼D3siCl57．6～57．9 2．31
四甲基氯硅烷 (傩),Si 26．64 ～
对SiHCl。分析表明，工业级SiHCI。含碳化合物主要是甲基二氯硅烷CH3SiHC。。精馏
后的SiHCI。中含碳的化合物主要是氯乙烯c龇Cl和甲基二氯硅烷CH。SiHC。。为了用精馏方
法有效除去SiHCIs中含碳硅化合物，我们来分析精馏塔(精馏段)的分离效率F，塔板数
n，回流比R和杂质分离系数Q之间的关系。见表3。
表3：分离效率、回流比、理论板数
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