西工大cmos实验报告三.docVIP

实验课3 源跟随器、共栅极、共源共栅放大器分析 1、采用NMOS设计源跟随器，其负载为20k的电阻。电源电压3.3V。 (没有特别说明时源衬短接) (1) NMOS尺寸(W/L)=50u/0.5u, 对输入执行DC扫描，观察输入输出的跟随特性，指出跟随特性较好的输入电压范围。计算并仿真输入输出电压平移大概为多少？ (2) 将衬底接地，重新执行(1)的分析，其结果有何不同？为什么会有这种变化？ (3)NMOS衬底接地，对所设计源跟随器进行OP，DC，AC，TRAN分析仿真，并对仿真结果进行简要描述。 解：设计的源跟随器如下图所示： 图1.1 源跟随器 设计好各参数对输入执行DC扫描，可得仿真波形如下所示： 由图分析可得：跟随特性较好的输入电压范围为0.7V—4V，电平位移大概为0.78V左右。 将衬底接地，对输入重新执行DC扫描，可得仿真波形如下所示： 由仿真结果可以看出，当把衬底接地，即考虑体效应（）时，此时输出对输入的跟随特性变差了，分析如下： 由式,可知随的变化而变化， 又式,可知随的变化而变化，而由源跟随器结构可知，则,就导致输出电压，通过以上分析可知输入输出跟随特性变差。 将NMOS衬底接地，对设计源跟随器进行OP，DC，AC，TRAN分析仿真，得到的仿真结果分别如下所示： ①OP，DC分析的仿真图如下： 由仿真图可知，取静态工作点为：输出电压为1.5V时，对应的输入电压为2.55V； 由输出曲线可得出，饱和区范围约为0.7V—4.47V。 ②设AC分析时交流信号的直流偏置为2.55V，执行AC分析仿真如下： 由AC仿真图可得出：低频增益数为-1.41dB。 ③设输入正弦信号，幅值5mv，直流偏置2.55V，频率1K Hz，执行TRAN分析的仿真如下： 可测得输出最大值，最小值。所以可求得增益为 ，用分贝数表示为： ，与AC分析的增益相对应。 共栅极电路如下图所示，负载电阻为20k。电源电压3.3V。 衬底接地。 NMOS尺寸(W/L)=5u/0.5u，Vb=1.0V，通过DC和OP分析确定直流工作点。分别通过AC和TRAN分析得到此共栅极的增益，并与手工计算结果相比较。 图2.1 共栅极电路 共源级电路各种参数与上同，这里是直流为1.0V 交流为5mV的正弦小信号，仿真得到其增益并与共栅极增益相比较，对比较结果进行分析。 图2.2 共源极电路 手工计算共栅极的输入阻抗，并与仿真结果相比较。 解：（1）①对共栅极电路执行OP、DC分析，得到仿真图如下： 由仿真图观察输入偏置电压，可知饱和区范围为：0V—0.245V，可取静态工作点为：输入电压为0V时，对应的输出电压为1.29V。 ②设AC分析时交流信号的直流偏置为0V，对共栅极电路执行AC分析仿真如下： 由AC仿真图可得出：低频增益数为23.05dB。 ③设输入正弦信号，幅值5mv，直流偏置为0V，频率1KHz，执行TRAN分析的仿真如下： 可测得输出最大值，最小值。所以可求得增益为 ，用分贝数表示为： ，与AC分析的增益相对应。 手工分析计算如下： 因为，则 已知 忽略沟道调制效应有： 则有： 由于忽略了沟道调制效应，所欲手工计算出的增益要比仿真结果小。 对共源极电路，设输入正弦信号，幅值5mv，直流偏置1V，频率1KHz，执行TRAN分析的仿真如下： 可测得输出最大值，最小值。所以可求得增益为 。 ①手工计算共栅极输入阻抗如下： 由（1）中计算可得 则有： 所以可求得： ②仿真得到输入电流的波形如下所示： 仿真得到：， 则可得： 由于在整个手工计算过程中忽略了沟道调制效应，最后导致手工计算的输入阻抗比仿真结果高了。 附录：sp源代码 1—（1） --------------------------------------------------------------------- .2012303527 **************model NMOS************************ .MODEL NMOS NMOS ( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 +MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0