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2017-12-23 发布于河南
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西北工业大学-CMOS实验三报告.doc

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西北工业大学-CMOS实验三报告

模拟CMOS集成电路实验实验三实验课3 源跟随器、共栅极、共源共栅放大器分析 1、采用NMOS设计源跟随器，其负载为20k的电阻。电源电压3.3V。 (没有特别说明时源衬端接) (1) NMOS尺寸(W/L)=50u/0.5u, 对输入执行DC扫描，观察输入输出的跟随特性，指出跟随特性较好的输入电压范围。电平位移大概为多少？ (2) 采用两种办法办法使输入到输出的电平位移量达到700mV左右。按照自己的想法修改电路，并给出仿真结果。 (3) 将衬底接地，重新执行(1)的分析，其结果有何不同？为什么会有这种变化？ (1) 图1.1 源跟随器 ***********************netlist************************ R1 SN 0 20K M1 DN GN SN BN NMOS W=50u L=0.5u ****************************************************** VDN DN 0 3.3 VBN BN SN 0 VGN GN 0 0 .DC VGN 0 3.3 0.05 .options post acct probe .PROBE V(SN) .END 仿真图分析：跟随特性较好的输入电压范围0.8V----3.3V。电平位移大概为0.76V。 (2) 法一：增加电阻RS sp文件 **************model NMOS************************ .MODEL NMOS NMOS ( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 +MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8) ************************************************ ***********************netlist************************ R1 SN 0 400K M1 DN GN SN BN NMOS W=50u L=0.5u ****************************************************** VDN DN 0 3.3 VBN BN SN 0 VGN GN 0 0 .DC VGN 0 3.3 0.05 .options post acct probe .PROBE V(SN) .END 仿真图通过仿真，当RS=400k时，输入到输出的电平位移量达到700mV左右 sp文件 **************model NMOS************************ .MODEL NMOS NMOS ( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 +MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8) ************************************************ ***********************netlist************************ R1 SN 0 20K M1 DN GN SN BN NMOS W=100u L=0.25u ****************************************************** VDN DN 0 3.3 VBN BN SN 0 VGN GN 0 0 .DC VGN 0 3.3 0.05 .options post acct probe .PROBE V(SN) .END 仿真图 (3) 将衬底接地，重新执行(1)的分析 sp文件 **************model NMOS************************ .MODEL NMOS NMOS ( +LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 +NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 +TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.3