芯片加工工程中有害气体处理方法探讨研究.pdfVIP

中工程热物理学会 传热传质 学术会议论文 编号：033145 芯片加工工程中有害气体处理方法探讨 李建树 北京建筑工程学院，100044北京 贾力 北方交通大学机电学院动力系，100044北京 电话：010-子信箱：!ji鲤!!皿E￡：!j!垡：!血：!旦 摘受；本文介绍了半导体芯片加工过程中产生有害气体的处理方法，通过对几种处理技术的分析比 较，提出了采用高温空气燃烧技术代替传统电加热和燃料燃烧的可能性。 关键词：温室效应气体；高温空气燃烧技术；反应机理 1．引言 目前，IT产业的生产过程中产生的有害气体污染环境问题，已经引起国际学术界和 企业的重视。半导体生产中的蚀刻和清洗工艺出现氯氟烃(CFC)和全氟烃(PFC)等 气体，这些气体造成温室效应的潜在威胁远远高于C02，如表1所示。PFCs(包括C。F6， CF；，CHF。，SR，NF3，和CsF。等)已被京都公约列入防止地球温室效应的管制气体，它 们通过吸收来自地球表面的长波辐射造成地球温升，其作用时间是C02的数千倍甚至上 万倍。国际半导体理事会已经通过提案，要求2010年降低PFcs排放量10％。环境污染 的控制直接影响市场竞争和人类生存，因此世界各国都在采取措施降低CFc和PFC气体 的排放量。 分子式 名称 存在时间(年) 温室效应作用时间(100年) C2F。 六氟乙烷 10，000 12，500 CF． 四氟化碳 50．000 6，300 CHF， 三氟甲烷 23250 12．100 SR 六氟化硫 3．200 24，900 NF， 三氟化氮 50—740 6，300—13，100 C而 八氟丙烷 2，600 7。000 C02 二氧化碳 50一200 ·l - 2．工艺有害气体的物理特性和反应机理 半导体加工过程中常用到的气体有j金属气相沉积气体，包括含卤化金属及有机 卤碳化合物，如C1：，NFs。tlBr，CF,，GFo等；参杂气体。含硼、磷、砷等三族及五族 原子的气体，如B‰，P如，As池等；反应气体。以碳系及氮系氢、氧化物为主如 cO，N11“NzO等。清洗过程中用到的气体，CF．，GF‘。嘲，等． 六氟乙烷(c：F6)是一种无色，不可燃的气体，通常采用强化燃烧配合千式化学反 应法或湿式化学反应法处理，也可以用触媒反应分解。高温环境下，反应如下： C，E+4日，O一2c0，+6月F+Ⅳ， 1∞8 四氟化碳(CF。)是一种无色，相对无毒，不可燃的气体，通常采用强化燃烧配合 干式化学反应法或湿式化学反应法处理，也可以用触媒反应分解，但是这几种方法处 理效果都不令人满意。其分解反应温度比c2F6高，高温环境下，反应如下： CF、+2H、0专CO,+4HF 硅烷是一种无色，有毒，具有自燃性的气体，可以通过强化燃烧、干式化学反应法或 湿式化学反应法进行处理。反应如下： S{H、+20、—÷S{o、+2H，0 3．处理工艺有害气体的方法及比较 半导体晶片制造和加工中，经常采用的方法是化学蚀刻和气相沉积法，工艺过程 C：F6等。有效分解或消除这些有害成份是生产加工的关键性工艺之一，也是环境保护 的需要。