芯片微通道沸腾相变过程中不同流动交变现象探析研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 第卜～屙年会 编0：【J533 64 芯片微通道沸腾相变过程中不同流动 。 交变现象探析+ 吴慧英、王浩、郑平 (卜海交通大学机械与动力工程学院，上海200030) 摘要 亚微米芯，}t通道中的沸腾相变檄一；稳定，在某屿条件下，祉芯行微通道的l司一位置处会出现小 同相态流体的交变现象，并伴J2{i有剧烈的热力参数波动。本文_j匝过显微观测1手f|高建摄影技术，对芯片 微通道沸腾相变过程中不同相态流体交变现象的成吲及特点进行揭不和分析，以期对芯片微流体器件 设计提供指导。 关键词：芯片微通道，沸腾，非稳定，流动交娈 1．引言 亚微米芯片微通道(当量直径在200pm以F)中的流动沸腾换热对微电子芯片冷 却以及高效芯片热沉的设计具有重要意义。近年来，由于微电子制造技术和先进观测技 术的进步，国内外开始陆续出现一些以硅片为代表的芯片微通道中的沸腾相变研究报道 et et et al【11，Zhangal【2】，Hetsroni (Jiang 芯片微通道中的流动相变与常规通道汞I当量赢径在1mm左右的普通小通道有明显不 同。尤其是在某些流动和热负荷条件下，芯片微通道中会出现不同相态流体的交变流动 et 现象(Hetsroni 两种典型的流动交变现象，然后借助于高速显微可视化技术，来揭示它们的成冈，并对 平行微通道中的不同步振荡现象进行分析。 2．芯片微通道中两种典型的流动交变现象 作者在前期研究中通过提高壁面加热强度而保持系统其它条件不变的方法发现：在 某些流动和加热参数条件i-，芯片微通道内同一位置处会出现液*ll／汽液两相交变流动 (L1、AF流动，WuCheng i61)两种非稳定沸嘴流动’情况。伴随这弼种交变流动，微通道进n5口流体温度及壁面温 度呈现出显著的周期振荡特点。图Ia和图1b分别为梯形硅片微通道中液相辟气液两相交 +上海市曙光汁划项目(N。04SGl3)和Intel项日(No4507165737)资助 1402 口流体及壁面温度的振荡信号。由图可见，由通道内不同交变流动引起的温度振荡幅度 和周期是十分惊人卉勺!这种振荡与由汽泡非稳定动力学行为引起的小幅、短频波动明显 非稳定交变流动现象进行了初步分析，认为压力、流量的反相变化是维持非稳定振荡的 前提，然而有关LTAF和LTV／kF苷稳定交变流动产生的原冈和机理至今尚不十分清楚。作 者近期通过拓宽显微观察视野，追踪汽液界面运动轨迹的方法发现可以对芯片微通道中 出现的LTAF和LTVAF非稳定交变流动产生的原因作出合理的解析。、r面将进行介绍。 (b)LTVAF 图l不问交变流动下的温度波动 3．芯片微通道中非稳定沸腾交变流动现象的可视化探析 3．1实验介绍 实验系统与文献【5，6]类似，具体流程为：水箱中的去离子水在氮气压送下，经流量 调节阀、过滤器、微流量计后进入水平放置的平行硅片微通道测试段，从测试段吸热沸 腾后出来的水蒸汽，经适度冷凝后进入收集器(收集器有--+；fL与大气相通，故微通道 的出口压力接近大气压)。实验中硅片微通道进出口布置有微型温度雨l压力测点以测量 进出口流体温度与压力，在硅片微通道底部沿流动方向均匀布置有5个温度测点以跟踪 壁面温度变化。流过微通道的瞬时流量由测试段前面的流量计测得，平均流量则由放置 在高精度电子天平上的收集器的质量变化获得(通过这种称重法还可对微流量计进行校 深491．tm，当量蕊径79ptm。硅片微通道底部有膜状加热片，上部则与硼硅酸玻璃薄片键 合在一起。在硅片微通道的上方布置有显微镜头与高速摄像机。实验中选择合适的显微 镜头放大倍率并使镜头保持三维方向的活动自由度，就可以对微通道内汽液界面的运动