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微影技術 學生：黃順源 學號：M97L0212 指導老師：鄒文正 老師 報告日期：11/05/27 OUTLINE 前言 微影技術 微影製程 結論 前言 微影技術是圖案化製程中將設計好的圖案從光罩或倍縮光罩上轉印到晶圓表面的光阻上時所使用的技術 半導體產業則是在1950年採用微影技術來製造電晶體和積體電路 微影製程是IC生產中最重要的一道製程步驟 微影技術 高的解析度 高的感光度 精確的對準性 低的缺陷密度 微影製程 晶圓清洗製程 預烤和底漆層蒸氣塗佈 正負光阻的圖案化製程 正、負光阻優缺點 光阻塗佈 邊緣球狀物移除法(EBR) 光阻厚度與自旋轉速在不同的黏滯係數下的關係 軟烘烤 使光阻中的溶劑大部分被汽化驅逐 溶劑使光阻易形成薄膜，但是也會吸收輻射影像附著力 過度烘烤: 過早的聚合作用，曝光度不靈敏 烘烤不足: 影像附著力和曝光不靈敏 烘烤系統 對準和曝光 IC製造中最關鍵的製程 IC生產工廠中最昂貴的工具 最具挑戰性的技術 決定圖案上的最小尺寸 目前的 0.18 mm 將向 0.13 mm推進 對準和曝光的工具 接觸式印像機 鄰接式印像機 投影式印像機 掃描投影式曝光系統 接觸式印像機 最簡單的設備 在1970年代中期以前使用 解析力: 可達到次微米 與晶圓光罩直接接觸，限制了光罩的壽命 鄰接式印像機 光罩距晶圓表面約~ 10 mm 沒有直接的接觸 光罩的壽命較長 解析力: 3 mm 投影式印像機 操作就像投影機一樣 解析力大約 1 mm 掃描投影式曝光系統 駐波效應 入射光和反射光產生干涉 光阻層產生週期性過度曝光和曝光不足的條紋狀結構 影響微影技術的解析度 顯影製程的三個步驟 微影製程 結論 光微影製程: 暫時性的圖案化製程 IC製程中最關鍵的製程步驟 需求: 高解析力, 低缺陷密度 光阻, 正光阻和負光阻 製程步驟: 預烤和底漆層塗佈,光阻自旋塗佈,軟烘烤, 曝光,曝光後烘烤,顯影, 熱烘烤,和圖案檢視 下一世代的微影技術: 極紫外光和電子束微影技術 參考文獻 半導體製程技術導論—羅正忠 www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 半導體元件物理---施敏 繞射(補充) 經過透鏡的光繞射(補充) HMDS(補充) * * 先前的製程 對準 及 曝光 曝光後烘烤 顯影 硬烘烤 清洗 表面預處理 光阻塗佈 軟烘烤 檢視 剝除 光阻 蝕刻 離子佈值 驗過 退回 超純水清洗 化學清洗 旋乾 底漆層蒸氣塗佈 脫水烘烤 晶圓 預備處理反應室 底漆層 晶圓 加熱平板 加熱平板 HMDS蒸氣 光罩/倍縮光罩 曝光 顯影後 負光阻 紫外線 正光阻 基板 基板 基板 光阻 基板 光阻 負光阻 薄膜 正光阻 薄膜 基片 基片 負光阻的顯影劑主要是二甲苯(Xylene) 造成光阻膨脹 負光阻 曝光後不可溶解 未曝光的部分被顯影劑溶解 較便宜 正光阻 曝光後不可溶解 曝光的部分被顯影劑溶解 解析度較好 真空系統 邊緣球狀物移除法 晶圓 吸盤 排放端 排氣 轉軸 光阻輸配噴嘴 吸盤 晶圓 到真空幫浦 轉軸 到真空幫浦 光阻輸配噴嘴 吸盤 光阻回收 晶圓 光阻塗佈 光阻自旋塗佈 轉軸 至真空幫浦 吸盤 晶圓 溶劑 轉軸 吸盤 晶圓 光阻 發光二極體 化學式邊緣球狀物移除法 光學式邊緣球狀物移除法 厚度 (μ m) 自旋轉速 (rpm) 0 7k 2k 3k 4k 5k 6k 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 100 cst 50 cst 27 cst 20 cst 10 cst 5 cst 加熱器 真空 晶圓 加熱器 熱氮氣 晶圓 微波源 真空 晶圓 光阻 吸盤 加熱平板 對流烤箱 微波烤箱 曝光後烘烤可減少駐波效應 駐波在光阻上的效應 旋乾 顯影 洗滌 先前的製程 對準 及 曝光 曝光後烘烤 顯影 硬烘烤 清洗 表面預處理 光阻塗佈 軟烘烤 檢視 剝除 光阻 蝕刻 離子佈值 驗過 退回 Thank you for your attention 光本身是一種波會產生繞射影響解析度 ? 減少繞射: – 光的波長越短產生的繞射越少 – 光學透鏡可以將繞射光線聚焦增強影像 * *