第一性原理研究Fe掺杂SnO_2材料的光电性质.pdfVIP

物 理 学 报 ActaPhys．Sin． Vo1．60，No．11(2011) 113101 第一性原理研究Fe掺杂 SnO2材料的光 电性质冰 逯 瑶 王培吉 张昌文 冯现徉 蒋 雷 张国莲 (济南大学物理学院，济南 250022) (2011年 1月 7日收到；2011年2月 2831收到修改稿) 采用基于第一性原理的线性缀加平面波 (FP—LAPW)方法，研究Fe掺杂 SnO：材料 电子结构和光学性质，包括 电子态密度、能带结构、介 电函数和其他一些光学图谱．研究结果表明，掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体，且呈 现半金属性；随掺杂浓度增加，费米能级进入价带，带隙逐渐减小，Fe原子之间耦合作用增强；通过掺杂能够在一定 程度上改变成键性质，使其具有金属键性质．光学谱线 (吸收谱 、消光系数等)与介电函数虚部谱线相对应 ，均发生 蓝移，各峰值与电子跃迁吸收有关，从理论上指出光学性质和 电子结构的内在联系． 关键词 ：能带结构 ，态密度 ，光学性质 ，介电函数 PACS：31．15．A一 。71．15．Dx．71．15．Mb 锡材料的性质研究相对较少 ，但关于三价铁掺杂锐 1．引 言 钛矿二氧化钛的研究取得了很大进展 ，获得了晶格 常数 、带隙等重要几何及 电子结构参数 ，且发现红 二氧化锡 (SnO，)材料是一种具有金红石结构 移现象 ”．Debernardi等运用第一性原理研究了 的宽禁带 11型半导体材料 ，空间群属 P4，／mnm，常 有 内在缺陷的稀磁铁掺杂 ZnO的磁性相互作用 ，分 温下禁带宽度为 E =3．6eV、激子束缚能为 130 析 了磁性的起源 14]．Zuo等利用第一性原理计算了 meV¨ ， 在多个领域如气敏元件、太 阳能 电池 、电极 ZnO材料的能带结构 、态密度和其光学性能 ， 材料及半导体元件等方面有着广泛的应用前景 ]， Shi等研究了SnO，纳米结构在锂离子 电池 中的电 是一种重要的无机功能材料．迄今为止 ，人们对无 化学性质 17]．由于 Fe原子最外层有 2个 电子 ，Sn 掺杂和掺杂SnO，材料 已有一些理论研究，杜娟等采 原子最外层有 4个 电子 ，当一个 Fe原子取代一个 用密度泛函平面波赝势方法对含Ⅲ族杂质 SnO，超 Sn原子进人 SnO，以后 ，在与 O原子形成共价键时 晶胞的电子结构进行 了研究 ；于峰等运用第一性 会因缺少 电子而形成空穴，造成掺杂和无掺杂时 原理计算了掺Al、掺N下 SnO，的电子态密度和光 SnO，材料表现出不 同的性质．因而，我们运用第一 学性质 ’；Barbarat等 运用第一性原理研究 了 性原理对不同浓度 Fe掺杂 SnO，材料进行 了研究， SnO 的电学、光学等性质 ，发现了化学键与光学性 计算了SnO 材料的电子结构、能带及光学性质，并 质的关联性 ；Jochan等 通过蒸气沉积技术制备 且理论上进行了分析． 了Cu，Fe，Mn共掺下 SnO 半导体透 明薄膜．一系 列研究表明掺杂后 的SnO，具有多种特殊性能，例 2．理论模型 如高导 电性 、高透光性 、高红外反射率 、高紫外吸 收率等 ’，特别是掺杂过渡金属原子如 Co，Mn， 本文采用基于密度泛 函理论第一性原理 的线 cr，V，Ni等 “，使 SnO 具有 了更广泛 的应用 性缀加平面波 (FP—LAPW)方法 ，应用广义梯度 前景． 近似 (GGA)处理相互关联交换势 ，通过在 Linux系 Fe作为过渡金属