模拟集成电路基础第4章.pptVIP

第四节 MOS管恒流源负载 第五节 MOS管电流源 第六节 MOS单级放大电路 （一）、E/E型NMOS放大器 （二）、E/D型NMOS放大器 （三）、CMOS放大器 （四）、CMOS互补放大器 四种常用MOS单级放大器性能比较 第七节 MOS管差分放大电路 MOS管差分放大电路的分析 第八节 CMOS管功率放大电路 第九节 MOS模拟开关及开关电容电路 一、单管 MOS传输门模拟开关 保证MOS模拟开关正常工作的条件 二、开关电容电路（简称SC电路） 本章小结 利用分析双极型差分放大电路相类似的方法－半边电路法 以E/D型NMOS差放电路为例 E/D型NMOS差放电路 双端输出差模电压增益： 单端输出差模电压增益： 单端输出共模电压增益： 共摸抑制比: CMOS互补功率放大电路如图： 对比双极型甲乙类功放电路说明其工作原理。 T1、T2为互补源极跟随器； T3、T4的栅源电压UGS为T1、T2提供直流偏压，使T1、T2两管工作在甲乙类状态； T5与T6组成CMOS推动电路，T5是放大管，T6是T5的有源负载。 在模拟集成电路中，MOS管可做为： 1.增益器件； 2.有源负载； 3.模拟开关(接近于理想开关) 做成的模拟开关近于理想开关，主要是它有以下特性： 1.器件接通时D-S间不存在固有的直流漂移。 2.控制端G与信号通路是绝缘的，控制通路与信号通路之 间无直流电流。 从开关应用角度讲，NMOS优于PMOS，所以通常选用NMOS 管做模拟开关。 1.增强型单管MOS模拟开关电路 UG<UGS,th时管子截止（Roff ? ?）。 UG>UGS,th时管子导通（Ron?0）。 可近似等效为理想开关（如图） （1）极间电容Cgs、Cgd、Csb、Cdb存在 （2）Roff ? ?, Ron ? 0 (2)UGS?? Ron?，但Cgs 、Cgd串扰?，所以应适当选择UGS ??Ron?，但极间电容?，所以应适当选择 结论:(1) 实际应用时，MOS管并非理想开关。实际等效电路如图 MOS开关的正常工作受限于与开关连接的电容值， 时间常数是限制开关工作速度的重要因素。 保证开关工作的条件为： 开关工作频率 > 时钟控制频率 开关电容电路的组成：由MOS模拟开关和MOS电容组成。 开关电容电路的功能： 当开关电容在集成电路中代替电阻时，又称为SC等效电阻电路。 SC等效电阻电路，分为{ （1）并联型SC等效电阻电路， （2）串联型SC等效电阻电路， 在时钟信号的控制下完成电荷的存储和转移。 * 第四章 MOS模拟集成电路的基本单元电路 MOS场效应管的特点 MOS单级放大电路 MOS功率输出单元电路 MOS开关电容电路 MOS场效应管的模型 MOS场效应管的三种基本放大电路 MOS管有源负载 MOS管电流源 MOS管差分放大电路 第一节 MOS场效应管的特点 （1）MOS场效应管是一种电压控制器件；iD受uGS的控制。 （2）MOS场效应管是单极型器件，温度稳定性好，抗辐射能力强。 （3）输入电阻极高，一般高达109?~1012?。 （4）MOS场效应管所占芯片面积小、功耗很小，且制造工艺简单，因此便于集成。 （5）因MOS场效应管既有N沟道和P沟道器件之分，又有增强型和耗尽型之别，它们对偏压极性有不同要求。 （6）MOS场效应管跨导gm较低（约为双极型晶体管的1/40），所以为了提高增益，减小芯片面积，常采用有源负载。 （7）MOS场效应管存在背栅效应（也称衬调效应），为了减小栅源电压对漏极电流的影响，要保证衬底与沟道间的PN结始终处于反偏。 （8） MOS场效应管的不足之处除了跨导gm较低以外，还有其工艺一致性较差、输入失调电压大、工作频率偏低，低频噪声较大等。 MOS场效应管的特点 第二节 MOS场效应管的模型 1.简化的低频交流小信号模型 简化的低频小信号模型（ duBS=0） 求全微分得 正弦信号下 考虑到MOS管的输入电阻极高，(RGS可认为无穷大）。 若源、衬极相连，uDS=0,则可得简化的低频小信号模型如图 Ugs Uds Id + + - - 第二节 MOS场效应管的模型 2.高频交流小信号模型 MOS管完整的交流小信号模型如图 如果MOS管的源极与衬底相连，uBS=0,则它的高频小信号模型可以简化，其简化模型如图所示。 简化高频小信号模型 低频情况下，极间电容均可视为开路，于是也可得到简化低频小信号模型 一 场效应管的偏置电路 （一）自给偏置电路 (1) UGS = 0时, IS = ID RS两端电压为： US = IS RS (2) 由于 IG=0, 所以