3-真空蒸发镀膜法-第1-2-3节.pptVIP

第二章 真空蒸发镀膜法 优点： 测量简单、能在制膜过程中连续测量膜厚 缺点： 改变位置或改变蒸发源形状时必须重新校正； 在溅射法中使用容易受到电磁干扰； 石英晶片工作温度不应超过80℃ 分子束外延设备 合金及化合物的蒸发 外延 在一定的单晶材料衬底上，沿衬底某个指数晶面向外延伸生长一层单晶薄膜。 同质外延和异质外延 epitaxy = growth of film with a crystallographic relationship between film and substrate homoepitaxy (autoepitaxy, isoepitaxy) = film and substrate are same material heteroepitaxy = film and substrate are different materials 合金及化合物的蒸发 晶格匹配（失配度） Matched：common in homoepitaxy, sometimes in heteroepitaxy 衬底材料是影响外延层质量的重要因素。要求衬底在沉积温度下稳定，不发生热分解，不受外延材料和气体侵蚀，与外延材料的膨胀系数匹配，晶格匹配。 合金及化合物的蒸发 str