不同量子阱宽度的InP基In0.53GaAsIn0.52AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )’ % #$$( % ， ， ， S1C ?)’ O1 ? % J,D,8T #$$( （ ） !$$$3#P$K#$$(K)’ $% K:P))3$) JQIJ 6R*=QJ *=O=QJ ##$$( Q+/. ? +U8 ? *1G ? !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 不同量子阱宽度的 基 高电子 !# !$%’ ()*+, !$%- *.*+ 迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究 ） ） ） ） ） ） ） ! ! # # ! ! ! 高宏玲 李东临 周文政 商丽燕 王宝强 朱战平 曾一平 !）（中国科学院半导体研究所，北京 !$$$% ） # ）（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 #$$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #$$’ % $ #$$( ! #) 用 （ ）振荡效应，研究了在 下不同量子阱宽度（ — ）的 基高电子迁移率晶 *+,-./012345 6778 *46 !9: ; !$ ) . =. 体管材料的二维电子气特性? 通过对纵向电阻*46 振荡的快速傅里叶变换分析，得到不同阱宽时量子阱中二维电 子气各子带电子浓度和量子迁移率 研究发现，在 掺杂浓度一定时，阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改 ? */ 变不大，但是随着阱宽的增加，阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带，且第二子带上的载流子迁移率远大于 第一子带迁移率? 当量子阱宽度为#$ . 时，处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到 了最大值 此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级，材料的迁移率也最大 此结果对于优化器件的设计 $ 9#: ? ? 有重要意义? 关键词：量子阱宽，二维电子气， 振荡，高电子迁移率晶体管 *+,-./012345 6778 ： ， ， #*// (’$@ (#!)A (#%$B 子在不同能级之间的分布以及对材料宏观的#LBA 浓度和迁移率的影响对于进一步优化 基 !9 引 言