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- 2018-01-02 发布于广东
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VLSI中金属化晶粒结构与工艺之间的相关性研究
焦慧芳 孔学东 孙青 施明哲
信产部电子五所,510610
扬 文 徐 征
华晶中央研究所,214035
摘要 本又阐述了目前VLSI金属化可靠性评价的主要手段 详细探讨了金属晶粒特征
、
的表征参数,对这些参数进行了定量分析;并对各晶粒特征参数与金属溅射工艺的相关
﹄ 性进行了研究.试图通过对金属晶粒特征的定量分析及晶粒特征与工艺相关性的研究,
找出金属化可靠性在线评价办法和影响金属可靠性的关键工艺条件参数,为实现对VLSI
金属化可靠性的 “享前控制”和 “事前预防”奠定了基础.
1、 引言
随着VLSI集成度的提高,其几何尺寸不断降低,金属化电迁移成为VLSI最突出
的可靠性问题之一。如何评价和控制金
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