VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术.pdfVIP

VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术 夏增浪 张东明葛岩 李荫波 赵元富 (北京微电子技术研究所， 北京9243信箱，100076 摘要:圆片级可靠性 (NV--R)评估技术由于其所花时间短，成本低，对工艺改进指导及 时，已成为器件可靠性研究的热点.本文将针对VLSI中栅氧的圆片级可靠性评估技术进 行研究，分析了氧化膜失效理论，推导出了斜坡式电压与恒压应力间的关系式，给出了利 用料坡式电压测试结果，推算器件氧化膜平均寿命 〔TDDB)的方法. 一:前言 随着集成电路工艺技术的发展，器件的特征尺寸已缩小到亚微米，甚至深亚微米的水 平，电路的集成度大幅提高，而其中MOSFET关键部分一 栅氧按照等比例缩小的原则， 也从200埃((1.0微米的工艺)下降到110埃((0.5微米的工艺)、甚至60埃(0.35微米的工艺) .在VLSI芯片上集成了上百万的MOSFET，它们巾的任何一个栅氧化膜出现故障，都会 影响到芯片的功能