一种工艺简单的太阳电池TCOSiO2Si研究.pdfVIP

一种工艺简单的太阳电池 TCO/Si02/Si研究 周之斌 吴万松 王永东 曾为民 陈东 孙铁囤 崔容强 (上海交通大学 物理系 太阳能研究所，上海200240 文翻:本文报道了TOO/S02/S，结构为SIS的太阳电他初步研究结果.特点是，采用的工 艺简单，盛价，它们分别是热氧化Si几，常压喷涂(CVD)SnO2，及丝网印刷电极，重复性较好， 电他开路电压，短路电流分别达520mv,104mA,效率为8%,优化工艺，可望性能有较大提商。 关镇润:Sn0:透明导电服，SIS结构太阳电池 0 引 言 太阳电池作为地面能像应用的研究目标之一是简化工艺，降低成本。在异质结中间插入 一层超薄绝缘层，构成SIS结构的太阳电池，由于其结构具有明显的简单性，工艺廉价.曾 经一度受到人们的重视，但是制作工艺中控制困难，成品率低，影响其发展[[1,21. 目前， 我们采用廉价的TCO(透明导电氧化层)，SnO2.作为窗口半导体材料，同Si叼Si构成SIS 结构，获得该结构的太阳电池的初步光伏性能，实验细节如下: 1实验 1.1P型硅片上生长S场层: 将带有绒面的P型0.5Q. 的硅片放入石英烧结炉中，通以氮气，氧气的混合气体， 加热到达550C ，