第3章 场效应管放大电路.ppt

* 模拟电子技术 李承 华中科技大学 电气与电子工程学院 2013/02 * 3.1 场效应管概述 3.2 绝缘栅增强型场效应管 3.3 场效应管放大电路 第三章 场效应管 * P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 耗尽型 增强型 3.1 场效应管概述 场效应管（FET） 结型（JFET）（属于耗尽型） 绝缘栅型（MOSFET） 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 绝缘栅型（MOSFET） * (1) N沟道增强型MOS管的基本结构 结构 B g栅极 d漏极 SiO2 s源极 N沟道增强型结构示意图 电路符号 3.2 绝缘栅增强型场效应管 N+ N+ P型硅衬底 掺杂浓度高 多子—电子 * (2) 工作原理 绝缘栅场效应管是通过改变栅-源电压uGS的大小，从而改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，即改变感应电荷形成的导电沟道的状况，达到控制漏极（漏-源）电流iD之目的。 1）导电沟道的建立 (a) uGS=0，无导电沟道 (b) uGS≥UGS(th)，建立导电沟道 UGS(th)称为开启电压 g栅极 d漏极 s源极 * P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUGS（th））感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子形成N型薄层 形成N型感生沟道 UGS（th）为开启电压 (b) uGS≥0，建立导电沟道 栅极 漏极 源极 * P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 UGS UGS(th) UDS增加，但UDS UGS- UGS(th) 时，场效应管在可变电阻区。 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 2）uGS对iD的控制作用 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 * P N N G S D UDS UGS ID 且 UDS UGS-UGS(th) 时，场效应管在恒流放大区。 IG 3）uGS对iD的控制作用 UGS UGS(th) UDS增加， UDS =UGS- UGS(th)时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 * MOS管在正常工作情况下，uDS、UGS(th)是确定的，则 3）uGS对iD的控制作用 式中：IDO为uGS=2UGS(th)时的iD值 在满足上式的情况下，只要改变uGS的值，就有一个确定的iD与之对应，从而实现uGS对iD的控制。 * N沟道增强型MOS管的特性曲线 转移特性 uGS 0 iD UGS（th） (3) 特性曲线 K是与管子有关的参数 g d s 衬底 + _ uGS iD ig=0 iD 是 时的iD * 0 uDS/v 10 20 1 2 3 4 iD / mA uGS = 3 V uGS = 2.5 V uGS = 2 V uGS = 3.5 V 可变电阻区 线性放大区 N沟道增强型MOS管的特性曲线 输出特性 输出特性曲线也可分为 可变电阻区； 饱和区； 截止区； 击穿区 iD =f(uDS) (固定uGS) uDS =uGS – UGS(th) 击穿区 截止区 g d s 衬底 + _ uGS iD ig=0 iD uDS ? uGS – UGS(th) * (4) 场效应管的主要参数 交流参数 低频跨导： 极间电容：栅源电容CGS，栅漏电容CGD，漏源电容CDS 极限参数 最大漏极电流IDM，最大耗散功率P0M，漏源击穿电压U(BR)DS栅源击穿电压U(BR)GS 直流参数 开启电压UGS(th)——指增强型的MOS管 夹断电压UGS(off)——指耗尽型的MOS管和结型场效应管 饱和漏电流IDSS ——指耗尽型的MOS管和结型场效应管直流 输入电阻: 通常很大,结型107Ω左右,耗尽型的MOS管1010Ω g d s 衬底 + _ uGS iD ig=0 iD * (5) 场效应管与三极管的比较 * 3.3 场效应管放大电路 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区(放大区)，场效应管的偏置电路相对较简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 场效应管是电压控制器件。它利用栅源电压来控制漏极电流的变化。它的放大作用以跨导来体现，在场效应管的漏极特性的水平部分，漏极电流iD的值主要取决于uGS，而几乎与uDS无关。 * (1) 场效应管放大电路的静态分析 分压式偏置电路 静态工作点：IG ,UG