第3章_场效应管.ppt

　　场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 3.1.5　MOS 管电路分析方法 　　场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。 估算法 MOS 管截止模式判断方法 假定 MOS 管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式(需重新计算 Q 点) N 沟道管：VGS VGS(th) P 沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和(放大)模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路 VGS与 ID 之间关系式。 c)联立解上述方程，选出合理的一组解。 d)判断电路工作模式： 若 |VDS| |VGS–VGS(th)| 若 |VDS| |VGS–VGS(th)| b)利用饱和区数学模型： 例 1　已知 ?nCOXW/(2l) = 0.25 mA/V2，VGS(th)= 2 V，求 ID 。 解： 假设 T 工作在放大模式 VDD (+20 V) 1.2 M? 4 k? T S RG1 RG2 RD RS 0.8 M? 10 k? G ID 代入已知条件解上述方程组得： ID = 1 mA VGS = 4 V 及 ID = 2.25 mA VGS = -1 V (舍去) VDS = VDD - ID (RD + RS) = 6 V 因此 验证得知： VDS VGS–VGS(th) ， VGS VGS(th)， 假设成立。 小信号等效电路法 　　场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 利用微变等效电路分析交流指标。 画交流通路； 将 FET 用小信号电路模型代替； 计算微变参数 gm、rds； 注：具体分析将在第 4 章中详细介绍。 3.2　结型场效应管 JFET 结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N 沟道 JFET P 沟道 JFET N + N + P G S D N沟道 JFET 管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏 PN 结反偏) VGS 0 (保证栅源 PN 结反偏) 3.2.1　JFET 管工作原理 P + P + N G S D + VGS VDS + - VGS 对沟道宽度的影响 |VGS | ? 阻挡层宽度? 若 |VGS | 继续? 沟道全夹断 使 VGS = VGS (off) 夹断电压 若 VDS = 0 N G S D + VGS P + P + N 型沟道宽度? 沟道电阻 Ron? * * 3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理 3.1 MOS 场效应管 第 3 章　场效应管 概 述 　　场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。 场效应管分类： MOS 场效应管 结型场效应管 3.1　MOS 场效应管 P 沟道(PMOS) N 沟道(NMOS) P 沟道(PMOS) N 沟道(NMOS) MOSFET 增强型(EMOS) 耗尽型(DMOS) 　　N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。 N + N + P + P + P U S G D 3.1.1　增强型 MOS 场效应管 N 沟道 EMOSFET 结构示意图 源极 漏极 衬底极 SiO2 绝缘层 金属栅极 P 型硅 衬底 S G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道宽度 N 沟道 EMOS 管外部工作条件 VDS 0 (保证漏衬 PN 结反偏)。 U 接电路最低电位或与 S 极相连(保证源衬 PN 结反偏)。 VGS 0 (形成导电沟道) P P + N + N + S G D U VDS - + - + VGS N沟道 EMOS 管工作原理 栅 ? 衬之间相当于以 SiO2 为介质的平板电容器。 N 沟道 EMOSFET 沟道形成原理 假设 VDS = 0，讨论 VGS 作用 P P + N + N + S G D U VDS = 0 - + VGS 形成空间电荷区 并与 PN 结相通 VGS? 衬底表面层中 负离子?、电子? VGS ? 开启电压VGS