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北京大学2011 年“硅基光电子技术及应用”暑期学校的讲学活动 硅基材料电致发光器件 孙甲明 南开大学物理科学学院，天津市南开区卫津路94 号，邮编：300071 主要讲授近年来在离子注入各类硅pn结发光二极管、稀土离子Re （Re ＝Er 、Eu 、Tb 、 Ce和Gd ）注入的氧化硅MOS结构高效率电致发光器件的研究进展情况及其应用。介绍了 各种硅基纳米结构MIS结构电致发光器件的研究进展情况；探讨实现硅基材料电泵浦激光 器的途径和方法。 个人简历 孙甲明，1991年吉林大学物理系本科毕业，1998年中科院长春物理所获博士学位，曾 在中国科学院物理研究所、日本东京大学工学部电子工程系、德国Rossendof研究中心离子 束物理和材料研究所从事研究工作。2006年10月以来被聘为南开大学物理学院教授，博士 生导师。２００７年入选教育部新世纪优秀人才计划。 工作经历 从1991年起从事硅基发光材料和器件研究二十年，研究内容涉及多孔硅、含硅纳米微 晶的SiO2和SiNx薄膜、Si/SiO2、Si/SiNx非晶态超晶格、Er掺杂纳米硅、稀土离子注入氧 化硅、离子注入硅pn 结等多种硅基纳米结构和薄膜材料电致发光器件， 1998年8月－2001年9月年间主要从事III-V族半导体的高真空分子束外延技术以及半 导体微腔半导体光折变器件、电光调制器件、激光器以及稀磁半导体材料的研究工作。 2001年9月至今主要从事硅材料电注入发光照明器件和光子集成的研究工作。 科研成果 近年来采取新的研究路线，以稀土离子注入氧化硅薄膜结合闪光灯退火、电荷补偿共 掺杂、共掺入纳米硅和稀土敏化剂，复合介质栅层等多项创新技术，克服了稀土离子在氧 化硅中固溶度低、电注入发光器件容易击穿和发光老化三个主要难题，成功研制出高效率 的氧化硅MOS结构电致发光器件。首次将硅材料发光延伸到近深紫外波段，并研制出红/ 蓝可变色的发光器件。其中红外、可见光和紫外区的硅材料电致发光器件的最高量子效率 分别达到14%、16%和5% 以上，是目前硅材料电致发光器件的世界最高记录，将硅材料电 注入发光器件的量子效率首次提高到商品化III-V族LED 的水平，实现了硅基发光领域的一 个长期梦想。此外还通过离子注入调制硅pn 结的能带，将间接带硅体材料pn结LED 的量子 效率提高了三个量级，达到0.15 %，接近纳米硅基LED 的水平。 曾荣获德国国家级研究机构Rossendorf研究中心2004年度的先进科研奖励。研制出的 高效率的硅MOS彩色电致发光显示器件曾代表德国Rossendorf研究中心多次参加慕尼黑国 际工程产品世界专业展等国际高科技展览会。2004年10月1 日国际媒体《Laser Focus World 》 发表了题为《Silicon UV light emitters are fabricated via CMOS》的文章专题介绍了申请人 研制的世界首个SiO2:Gd硅基材料紫外发光器件。2007年5月27 日国际期刊《Science Daily》 刊登了题为《Switchable Two-color Light Source On A Silicon Chip》的文章，专题介绍了申 请人主持研制的由红到蓝可变色的SiO2:Eu发光器件。 五年来在Appl. Phys. Lett等国内外期刊发表80篇，申请德国专利2项。２００６年１０ 月回国工作以来，在南开大学筹建了硅基光子学材料和器件实验室，目前主要研究原子层 沉积技术，H-k栅极，硅上超级电容储能器件，硅基发光材料和器件，面向硅材料激光器、 固态储能显示照明和和光互连集成技术等应用。目前承担国家自然科学基金、973项目和 教育部新世纪人才项目等多项国家课题，总经费200多万元。 代表性论文： 1. Giant stability enhancement of rare-earth implanted SiO2 light emitting devices by an additional SiON protection layer, Sun, JM; Rebohle L; Prucnal, S; Helm, M; Skorupa, W， APPLIED PHYSICS LETTERS, 92 (7): Art. No. 071103