第四章 单晶硅材料.ppt

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第四章 单晶硅材料

第四章 单晶硅材料 硅材料是半导体行业中最重要且应用最广的元素半导体,是微电子工业和太阳能光伏工业的基础材料。 它既具有元素含量含量丰富、化学稳定性好、无环境污染等优点,又具有良好的半导体特性。 硅材料有多种晶体形式,包括单晶硅、多晶硅和非晶硅,应用于太阳电池工业领域的硅材料包括直拉单晶硅、薄膜非晶硅、铸造多晶硅、带状多晶硅和薄膜多晶硅,他们有各自的优缺点,其中直拉单晶硅和铸造多晶硅应用最为广泛,占太阳能光电材料的90%左右。 单晶硅是硅材料的重要形式,包括区熔单晶硅和直拉单晶硅。 直拉单晶硅 第四章 单晶硅材料 4.1 硅的基本性质 4.2 太阳电池用硅材料 4.3 高纯多晶硅的制备 4.4 直拉单晶硅技术 4.5 单晶硅片加工 4.1 硅的基本性质 硅材料是目前世界上最主要的元素半导体材料,在半导体工业中广泛应用,是电子工业的基础材料。其中单晶硅材料是目前世界上人工制备的晶格最完整、体积最大、纯度最大的晶体材料。 4.1 硅的基本性质 硅的物理性质 硅的化学性质 硅的晶体学性质 硅的物理性质 硅的物理性质 基本性质:晶体硅呈银灰色,有金属光泽,硬而脆,固体体积比液体高出9% 光学性质:禁带宽度1.12eV,对光的吸收处于红外波段,具有高发射率个折射率(红外及γ射线的探测器,太阳电池) 硅的热学性质:具有明显的热传导和热膨胀性质,硅熔化体积缩小,凝固时膨胀,硅有较大的表面张力系数,利用此性质可以用来拉单晶 硅的力学性质:室温下硅无延展性,温度高于800度有明显塑性,在应力作用下容易发生塑性形变,硅的抗拉力大于抗减应力,在加工中容易产生弯曲和翘曲 硅的化学性质 常温下化学性质比较稳定,常温下无自由态存在,以SiO2以及硅酸盐的形式存在 常温下容易与混合酸,活性碱反应 高温下化学性质活泼(容易与Cl2,O2,N2)反应,与熔融的金属如Mg,Cu, Fe, Ti, W, Mo生成硅化合物 与Cu2+ ,Pb2+ ,Ag+ ,Hg+ 等贵金属发生置换反应 每个硅原子外层的4个未配对的电子,分别与相邻的硅原子的一个未配对的自旋方向相反的价电子组成共价键,共价键的键角是109°28′,其结构如图4.2所示。 晶胞中含有的总原子数为8,硅的晶格常数 a=5.4395A,相邻原子间距为 a/4=2.35A,硅晶体的原子密度为5×1022个/cm3。 4.2 太阳电池用硅材料 按纯度划分 金属硅和半导体(电子级)硅 按结晶形态划分 非晶硅、多晶硅和单晶硅 其中单晶硅分为区熔单晶硅(FZ单晶硅)和直拉单晶硅(CZ单晶硅),其中直拉单晶硅由于制造成本优势,机械强度较高易制备大直径单晶而广泛应用于太阳电池领域 4.3 高纯多晶硅的制备 高纯对晶硅的纯度很高,一般要求纯度达到99.999999%-99.9999999%,杂质的含量降到10-9的水平。多晶硅的原料是大自然中的石英砂,因为对杂质含量有严格要求,并不是所有的石英砂都能作为硅材料的原料。 在电弧中,利用纯度为99%以上的石英砂和焦炭或木炭在2000℃左右进行还原反应,可以生成多晶硅,其反应方程式为: SiO2+3C=SiC+2CO 2SiC+SiO2=3Si+2CO 制备策略 砂子还原成冶金级硅 冶金硅进行化学提纯(生成中间产物,化学提纯中间产物,中间产物提纯为硅,此时的硅为多晶状态) 砂子还原成冶金级硅 在电弧中,利用纯度为99%以上的石英砂和焦炭或木炭在2000℃左右进行还原反应,可以生成多晶硅,其反应方程式为: SiO2+3C=SiC+2CO 2SiC+SiO2=3Si+2CO 此时的硅呈多晶状态,纯度约为95%-99%,称为金属硅或冶金硅,又可称为粗硅或工业硅。这种多晶硅材料对于半导体工业而言,含有过多的杂质,主要为C、B、P等非金属杂质和Fe、Al等金属杂质,只能作为冶金工业中的添加剂。在半导体工业中应用,必须采用化学或物理的方法对金属硅进行再提纯。 冶金硅进行化学提纯 化学提纯是指通过化学反应,将硅转换为中间化合物,在利用精蒸馏提纯等技术提取中间产物,使之达到高纯度;然后再将中间产物转化成硅,此时的高纯硅为多晶状态,可以达到半导体工业的要求。 根据中间产物的不同,化学提纯多晶硅可分为不同的技术路线,其共同路线,其共同的特点是:中间化合物容易提纯。 在工业中应用的技术有: 1.三氯氢硅氢还原法(西门子法) 2.冶金法 3.硅

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